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M50LPW002
表9.命令
周期
总线写操作
1st
ADDR
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
数据
FFH
70h
90h
98h
40h
10h
30h
80h
20h
50h
B0h
D0h
00h
01h
60h
2Fh
C0h
PA
PA
A
1
X
BA
PD
PD
PD
10h
D0h
A
2
PD
A
3
PD
A
4
PD
2nd
ADDR
数据
3rd
ADDR
数据
4th
ADDR
数据
5th
ADDR
数据
命令
读取内存阵列
读状态寄存器
阅读电子签名
1
1
1
1
2
节目
2
四字节编程
芯片擦除
块擦除
清除状态寄存器
编程/擦除挂起
编程/擦除恢复
5
2
2
1
1
1
1
1
无效/保留
1
1
1
注： x无关， PA程序地址， PD程序数据，A
1,2,3,4
连续的地址， BA的任何地址块。
读存储器阵列：
读存储器阵列命令后，读取内存正常，直到另一个命令发出。
读状态寄存器：
读状态寄存器命令后，读状态寄存器为正常，直到另一个命令发出。
阅读电子签名：
读电子签名命令后，读厂商代码，设备代码，直到另一个的COM
命令发出。
块擦除，字节编程：
这些命令之后，读状态寄存器命令完成之前，和另一个命令
发出。
四字节编程：
此命令仅在A / A复用方式下有效。解决了
1
, A
2
, A
3
AND A
4
必须是连续的地址
只为地址位A0和A1不同。在这之后命令读状态寄存器，直到命令完成，另外的COM
命令发出。
芯片擦除：
此命令仅在A / A复用方式下有效。该命令后，读状态寄存器，直到命令完成
和另一个命令发出。
清除状态寄存器：
之后，清除状态寄存器命令位1 ， 3 ，状态4和5寄存器复位为“0” 。
编程/擦除挂起：
程序后/擦除挂起命令已被接受，问题读存储器阵列，读取状态
寄存器，程序（在擦除暂停）和编程/擦除恢复命令。
编程/擦除恢复：
程序后/擦除恢复命令暂停编程/擦除操作恢复，读取
状态寄存器，直到编程/擦除控制器完成的内存返回到读取模式。
无效/保留：
不要使用无效或保留的命令。
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