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VN2222LL
首选设备
小信号MOSFET
150毫安， 60伏
N沟道TO- 92
特点
http://onsemi.com
无铅包可用*
150毫安， 60 V
R
DS （ ON）
= 7.5
W
N沟道
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
价值
60
60
±
20
±
40
150
1000
400
3.2
-55
+150
mW
毫瓦/°C的
°C
TO92
CASE 29
样式22
12
单位
VDC
VDC
VDC
VPK
MADC
G
S
D
最大额定值
等级
漏 - 源电压
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 1.0毫瓦）
栅源电压
- 连续
- 不重复（T
p
≤
50
女士）
漏电流
- 连续
- 脉冲
总功率耗散@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储温度范围
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
3
热特性
特征
热阻，结到环境
铅的最大温度
焊接目的， 1/16“的情况下，从
10秒
符号
R
qJA
T
L
最大
312.5
300
单位
° C / W
°C
标记图
＆放大器;引脚分配
VN22
22LL
AYWW
1
来源
3
漏
2
门
A
Y
WW
=大会地点
=年
=工作周
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年9月 - 第3版
出版订单号：
VN2222LL/D
