LS103A / 103B / 103C
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
交界处的环境
结温
存储温度范围
测试条件
L = 4毫米，T
L
=常数
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
250
125
- 65至+ 150
日前，Vishay
单位
K / W
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向击穿电压
测试条件
I
R
= 10
A
部分
LS103A
LS103B
LS103C
漏电流
V
R
= 30 V
V
R
= 20 V
V
R
= 10 V
正向电压降
二极管电容
反向恢复时间
I
F
= 20毫安
I
F
= 200毫安
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
I
F
= I
R
= 50200毫安，
恢复到0.1 I
R
LS103A
LS103B
LS103C
符号
V
（ BR ）R
V
（ BR ）R
V
（ BR ）R
I
R
I
R
I
R
V
F
V
F
C
D
t
rr
50
10
民
40
30
20
5
5
5
0.37
0.6
典型值。
最大
单位
V
V
V
A
A
A
V
V
pF
ns
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编）
1000
1000.000
5
100
100.000
I F - 正向电流（mA ）
10
10.000
1
1.000
0.100
0.1
0.010
0.01
0.001
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
V F - 正向电压（MV ）
- 正向电流（ A）
F
4
3
2
1
0
0.0
I
16765
0.5
1.0
1.5
2.0
16766
V
F
- 正向电压（ V）
图。 1正向电流与正向电压
图。 2正向电流比。正向电压
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2
文档编号85631
修订版1.2 ， 22 -APR- 04
