LT4220
应用S我FOR ATIO
每当该输出电压达到其最终值作为
感测到的由R9，R10和R11，R12和两个栅极信号
充分时， PWRGD引脚将变为高阻抗。
一个典型的时序示于图8与
跟踪启用。所述序列如下：
1 ）电源引脚接触和欠压
锁定阈值被超过。
2）比较器的阈值被超过的
GATE引脚开始不断上升。 V
OUT
+如下GATE
+
by
在N沟道FET的阈值电压。
3 ）门
+
由跟踪电路，因为V不限
OUT
–
滞后V
OUT
+
。当V
OUT
–
开始增加， GATE
–
保持在的大致的阈值电压
N沟道场效应晶体管，由于C2的压摆率控制。
的V 4）当量值
OUT
–
赶上V
OUT
+
,
门
+
恢复斜坡。最慢V
OUT
将限制
更快V
OUT
摆率。
5 ）门
+
内部栅极良好的信号达到阈值。
6 ）门
–
内部栅极良好的信号达到阈值，
使FB输出的比较器。如果这两个FB的COM
12
3 4
5
6
V
CC
+ UVLO
· UVLO
V
EE
ON
+
ON
–
门
+
V
OUT +
门
–
V
OUT-
PWRGD
4220 F08
图8.典型的时序序列
12
U
parators显示输出还是不错的， PWRGD引脚
输出变为高阻抗和被拉起由
外部上拉电阻。
电源斜坡
对于较大的容性负载，浪涌电流将被限制
通过V
OUT
+
和V
OUT
–
摆率或通过折回的
电流限制。对于所希望的冲击电流小于
折返电流限制，该反馈网络R6， C1
和R8 ， C2可被用来控制在V
OUT
摆率。为
所需的浪涌电流和典型栅极上拉电流，
反馈网络电容器C1和C2可以是calcu-
迟来的：
C1 = （ 10μA CL1 ） / I
侵入
+
和
C2 = （ 10μA CL2 ） / I
侵入
–
(1)
(2)
W
U U
其中， CL1和CL2是在正和负输出
负载电容。如果电源跟踪模式被使能
（ TRACK =高） ，在启动过程中，与输出
最慢的压摆率也将限制的压摆率
相反的输出（注：供应跟踪也被控制
通过在FB管脚的电阻分压器。请参见供应
跟踪） 。此外，C1和C2应大于
5NF ，以防止大的超调，在输出电压为
瞬态负载小的容性负载。
电容器C3和电阻器R8防止Q2从momen-
tarily打开时，电源引脚先进行接触。
未经C3，电容器C2和C
GD(Q2)
将持有的门
近地面Q2的前LT4220可电和
拉闸门低。 C3罐的最小所需值
下式计算：
V
EE
V
TH
C3
=
(C
GD(Q2)
+
C 2)
1.2
V
TH
(3)
其中，V
TH
是MOSFET的最小栅极阈值和
V
EEmax
为最大的负电源输入电压。如果
C2的没有被使用， C3中的最小值应为10nF的
以确保稳定性。 C2和C3必须是相同的类型以
确保跟踪过温。
4220f
