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EtronTech
特点
快速存取时间：30 /35/ 40 /为45nS
快速EDO页面周期时间： 13.3 / 15/16 / 18ns
EDO页面模式操作
+ 5V单
10 ％的电力供应
低功耗
通过双CAS输入单个字节控制
三种刷新模式
在8ms的512周期刷新（ 9行9列）
TTL兼容
40引脚， 400密耳塑料SOJ包装，或
40/44引脚， 400密耳塑料TSOP - II封装。
Em614163A-30/35/40/45
256K ×16高速EDO DRAM
初步
引脚配置（顶视图）
40引脚SOJ
VCC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
WE
RAS
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
VSS
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
VSS
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
LCAS
UCAS
OE
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
40/44引脚TSOP -II
VCC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
VSS
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
VSS
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
订购信息
产品型号
Em614163A-30
EM614163TS-30
Em614163A-35
EM614163TS-35
Em614163A-40
EM614163TS-40
Em614163A-45
EM614163TS-45
速度
30ns
30ns
35ns
35ns
40ns
40ns
45ns
45ns
包
SOJ
TSOP -II
SOJ
TSOP -II
SOJ
TSOP -II
SOJ
TSOP -II
NC
NC
WE
RAS
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
NC
LC AS
UCAS
OE
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
引脚名称
A0 - A8
RAS
UCAS
LCAS
WE
OE
地址输入
行地址选通
列地址选通
（高字节控制）
列地址选通
（低字节控制）
写使能
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
+ 5V电源
地
无连接
关键的特定连接的阳离子
速度
-30
-35
-40
-45
t
RAC
30ns
35ns
40ns
45ns
t
CAC
9ns
10ns
11ns
12ns
t
AA
16ns
18ns
20ns
22ns
t
OEA
9ns
9ns
10ns
10ns
t
RC
t
PC
53ns 13.3ns
为60ns 15ns的
66ns 16ns的
75ns 18ns
I / O0 - I / O15
V
CC
V
SS
NC
概观
该Em614163A -30 /35 /四十五分之四十○是高速
EDO （扩展数据输出） DRAM举办
262,144字由16位。它支持EDO页
模式和16位的数据宽度为高数据带宽
应用程序。江户时代页面模式是
它提供了一个更短的页面加速访问
周期和比一个更快的数据访问时间
传统的快速页面模式。
与快速页模式DRAM相比，
经过EDO DRAM数据输出将举行有效
CAS
变为高电平，只要
RAS
和
OE
保持低电平
和
WE
被拉高。此功能允许
CAS
发生预充电时间不输出数据
将无效。因此， EDO
CAS
定时可以是
冷凝携带更多的数据在给定时间段。
该Em614163A -30 /35 /四十五分之四十○充分利用了
EDO页面模式的优势。它允许512随机
具有快速的周期时间越短页面内访问
为13.3 / 15 /十八分之十六纳秒。
该Em614163A -30 /35 /四十五分之四十○是非常适合
对于高性能的图形帧缓冲区， CD-
ROM中，磁盘驱动器，机顶盒，和DSP
应用程序。
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1楼1号，繁荣路。 1 ，科学工业园区，新竹，台湾， ROC
电话： （ 886 ） -3-5782345传真： （ 886 ） -3-5779001
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恕不另行通知。
1997年4月
