W29C040
512K
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8 CMOS FLASH MEMORY
概述
该W29C040是4兆， 5伏的CMOS只页面模式的Flash组织成512K内存
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8
位。该装置可被写入（擦除和编程）的在系统与标准5V电源。
一个12伏V
PP
不是必需的。的W29C040结果快速写入独特的单元架构（擦除/
程序）具有极低的电流消耗操作（相对于其他可比较的5伏
闪存产品）的装置，也可以被擦除，并通过使用标准EPROM编程
程序员。
特点
单5伏写（擦除和编程）
操作
快速页写操作
每页256字节
页写（擦除/编程）周期： 5毫秒
（典型值）。
有效字节写入（擦除/编程）周期
时间： 19.5
S
可选的软件保护的数据写入
软件和硬件的数据保护
低功耗
工作电流：25 mA（典型值）
A
（典型值）。
自动写（擦除/编程）与时序
内部V
PP
GENERATION
写结束（擦除/编程）检测
切换位
数据轮询
快速的芯片擦除操作： 50毫秒
两个16锁定KB引导块
典型的页写（擦除/编程）周期：
1K / 10K （典型值）。
读访问时间： 70/90/120纳秒
十年的数据保留
锁存地址和数据
所有输入和输出直接TTL兼容
JEDEC标准的字节宽引脚
可用的软件包： 32引脚600密耳DIP ， TSOP
和PLCC
-1-
出版日期： 2000年12月
修订A6
