P L I M I N A R
表61. PCMCIA内存写周期（参见图44 ）
初步
符号
t2
t3
t4a
t4b
t5
t6a
t6b
t7
t8a
t8b
t9a
t9b
t10
t11
t12
t13a
t13b
t14
参数说明
数据保持以下MEMW
MEMW宽度时间
MEMW之前地址设置（ 8位）
MEMW之前地址设置（ 16位）
地址保持以下MEMW
MEMW前MCE的设置（ 8位）
MEMW前MCE的设置（ 16位）
MEMW后MCE举行
输出使能（ MEMR ）设置MEMW前（ 8位）
输出使能（ MEMR ）设置MEMW前（ 16位）
输出使能（ MEMR ） MEMW后举行（ 8位）
输出使能（ MEMR ） MEMW后举行（ 16位）
MEMW从WAIT_AB无效无效
WAIT_AB延迟从MEMW下降
WAIT_AB脉冲宽度时间
MEMW前DBUFOE设置（ 8位）
MEMW前DBUFOE设置（ 16位）
MEMW后DBUFOE举行
1
150
50
50
笔记
民
50
500
150
60
50
175
45
40
200
100
250
150
100
35
12,000
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项：
1. WAIT_AB断言不再是那个10
S可以导致DRAM RAS低（最大） ，如果这种“扩展” PCMCIA周期被侵犯
在一个DRAM页命中发生。 （请参阅吨
RASC
最大的参数为特定DRAM ）的RAS激活定时器（ 10
S）也不会
力RAS处于非活动状态，而“扩展” PCMCIA循环发生。
这些定时是基于默认设备设置和所需的初始编程。这些定时可以通过彩信进行修改
内存等待状态寄存器1和2 ，指数62H和50H指数，并命令延迟注册，指数60H 。 （见
义隆
TM
SC300单片机编程参考手册，订购＃ 18470 ）。
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ELAN SC300 微控制器数据表
