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P L I M I N A R
表60. PCMCIA存储器读周期（参见图43 ）
初步
符号
t1a
t1b
t2
t3
t4a
t4b
t5
t6a
t6b
t7
t8
t9
t10
t11
t12
t13
t14
t15a
t15b
t16
参数说明
MEMR非活动数据之前设置（ 8位）
MEMR非活动数据之前设置（ 16位）
数据保持以下MEMR
MEMR宽度时间
MEMR之前地址设置（ 8位）
MEMR之前地址设置（ 16位）
地址保持以下MEMR
MEMR前MCE的设置（ 8位）
MEMR前MCE的设置（ 16位）
MEMR后MCE举行
MEMR从WAIT_AB无效无效
WAIT_AB延迟从MEMR下降
WAIT_AB脉冲宽度时间
MEMR前ICDIR设置
MEMR后ICDIR举行
MEMR前DBUFOE设置
MEMR后DBUFOE举行
ENDIRH ， MEMR前ENDIRL设置（ 8位）
ENDIRH ， MEMR前ENDIRL设置（ 16位）
ENDIRH ，从MEMR ENDIRL举行
5
–1
0
–2
–2
170
45
–4
2, 3
4
4
2, 4
1
笔记
民
40
25
0
550
155
60
0
175
45
0
120
35
12,000
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项：
1.违反为600 ns的只有（ 3.3 V ）， PCMCIA读周期。
2. PCMCIA指定35纳秒为600 ns的周期， 20 ns的250和200 ns的周期， 15纳秒为100 ns的周期。
3.如果PCMCIA被缓冲，该保持时间可以通过缓冲器增加传播延迟。
4.如果在PCMCIA地址缓冲器经由MCE的信号控制，输出禁用/启用的缓冲器的延迟会影响
针对建立和保持从MEMR 。
5. WAIT_AB断言不再是那个10
S可以导致DRAM RAS低（最大） ，如果“扩展” PCMCIA周期被侵犯
在一个DRAM页命中发生。 （请参阅吨
RASC
最大的参数为特定DRAM ）的RAS激活定时器（ 10
S）也不会
力RAS处于非活动状态，而“扩展” PCMCIA循环发生。
这些定时是基于默认设备设置和所需的初始编程。这些定时可以通过彩信进行修改
内存等待状态1和2的寄存器， 62H指数和指数50H ，命令延迟寄存器， 60H指数。 （见
义隆
TM
SC300单片机编程参考手册
，订单号18470 ）。
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ELAN SC300 微控制器数据表
