NPN硅外延
晶体管高频
低失真放大器
特点
高集电极电流：
百毫安MAX
NEW HIGH GAIN POWER MINI -MOLD包装
（ SOT- 89型）
高输出功率1 dB压缩：
22 dBm的典型值在1 GHz
高IP
3
:
32 dBm的典型值在1 GHz
NE856M02
外形尺寸
（以毫米单位）
包装外形M02
底部视图
4.5±0.1
1.6±0.2
1.5±0.1
该NE856M02是一个NPN硅外延双极晶体管
专为需要高DY-中等功率应用
动力学范围和低的互调失真。该装置
提供卓越的性能和可靠性，通过低成本
NEC的钛，铂，金金属化系统和直接
在芯片的表面的氮化物钝化。该NE856M02
对于低噪声放大器在VHF到UHF的最佳选择
频带，并适合CATV和其它电信
应用程序。
0.8
民
描述
E
B
E
0.42
±0.06
1.5
3.0
0.45
±0.06
0.42
±0.06
3.95±0.26
C
2.45±0.1
0.25±0.02
引脚连接
E：发射器
C：收藏家
B：基本
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
EIAJ
1
注册号码
包装外形
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE2
f
T
C
RE3
|S
21E
|
2
NF
1
NF
2
参数和条件
集电极截止电流在V
CB
= 10 V，I
E
= 0
发射极截止电流在V
EB
= 1 V，I
C
= 0
直流电流增益在V
CE
= 10 V，I
C
= 20毫安
增益带宽积为V
CE
= 10 V，I
C
= 20毫安
反馈电容在V
CB
= 10 V，I
E
= 0中，f = 1.0兆赫
插入功率增益在V
CE
= 10 V，I
C
= 20 mA时， F = 1 GHz的
噪声图1在V
CE
= 10 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
噪声系数2的V
CE
= 10 V，I
C
= 40 mA时， F = 1 GHz的
GHz的
pF
dB
dB
dB
单位
A
A
50
120
6.5
0.5
12.0
1.1
1.8
3.0
0.8
民
NE856M02
2SC5336
M02
典型值
最大
1.0
1.0
250
注意事项：
1.日本电子工业协会。
2.脉冲测量，脉冲宽度
≤
350
s,
占空比
≤
2 %.
3，发射端应连接到3端子电容电桥的接地端子。
美国加州东部实验室
