DRAM
奥斯汀半导体公司
附注（续） ：
35. V
IH
过冲： V
IH
（ MAX） - V
CC
+ 2V为脉冲宽度英镑
为3ns ，脉冲宽度不能的大于三分之一
周期率。 V
IL
冲： V
IL
（ MIN） = -2V的脉冲宽度英镑
为3ns ，脉冲宽度不能大于的三分之一
周期率。
36. NC引脚被假定为悬空并没有经过测试
泄漏。
37.自我更新和扩展刷新设备要求
至少有4096个周期内完成所有的128毫秒。
38.自刷新版本只为Temp部分。
AS4LC4M16
AS4LC4M16
1.0版7/02
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
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