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DDR SDRAM （ Rev.0.1 ）
Jun,'00
初步
三菱的LSI
M2S28D20 / 30 / 40ATP
128M双数据速率同步DRAM
绝对最大额定值
符号
VDD
VDDQ
VI
VO
IO
Pd
TOPR
TSTG
参数
电源电压
电源电压输出
输入电压
输出电压
输出电流
功耗
工作温度
储存温度
TA = 25℃
o
条件
相对于VSS
相对于VSSQ
相对于VSS
相对于VSSQ
评级
-0.5 ~ 3.7
-0.5 ~ 3.7
-0.5 VDD + 0.5
-0.5 VDDQ + 0.5
50
1000
0 ~ 70
-65 ~ 150
单位
V
V
V
V
mA
mW
o
o
C
C
直流工作条件
（大= 0 70
o
C，除非另有说明）
S YM BOL
P一RA M E TE
V DD
S upply V olta GE
V DDQ
S upply V olta GE为安输出
V重新F
输入R ê FE重数控è V olta GE
V IH （ D C ）
IGH - L E已经升输入V olta GE
V IL （ D C ）
L嗷嗷-L ê已经升输入V olta GE
V IN （ D C ）
输入V olta GE L E已经L， C L K A ND / C L·K
V ID （ DC ）输入端D IFFE重新NTIA L V olta GE ， CLK钕/ CLK
V TT
I / O率T e RM INA化V olta GE
M英寸
2.3
2.3
0.49 * V DDQ
V再度F + 0.18
-0.3
-0.3
0.36
V重的F - 0.04
L IM其
牛逼YP 。
2.5
2.5
0.50 * V DDQ
M A X 。
2.7
2.7
0.51 * V DDQ
V DDQ +0.3
V重的F - 0.18
V DDQ + 0.3
V DDQ + 0.6
V再度F + 0.04
ü尼特 OTE s
V
V
V
V
V
V
V
V
5
7
6
电容
（大= 0 70
o
C， VDD = VDDQ = 2.5V + 0.2V ， VSS = VSSQ = 0V ，除非另有说明）
符号
CI （ A）
CI （ C）
CI （ K）
CI / O
CO （ QF ）
参数
输入电容，地址引脚
输入电容，控制引脚
输入电容， CLK引脚
I / O容量， I / O ， DQS ， DM引脚
输出电容/ QFC
测试条件
VI=1.25v
f=100MHz
VI=25mVrms
范围
DELTA
单位注
第（最大）
分钟。马克斯。
2.0
3.0
pF
11
0.50
2.0
3.0
pF
11
2.0
3.0
0.25
pF
11
4.0
5.0
pF
11
0.50
2.0
3.0
pF
11
三菱电机
16
