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DDR SDRAM （ Rev.0.1 ）
Jun,'00
初步
[写了写打断]
三菱的LSI
M2S28D20 / 30 / 40ATP
128M双数据速率同步DRAM
突发写操作可以通过任何银行的写操作被中断。随机列允许访问。
写入写入间隔至少1个CLK 。
写了写中断（ BL = 8 ）
/ CLK
CLK
命令
A0-9,11
A10
BA0,1
的DQ
DQ
Dai0 Dai1 Daj0
Daj1 Daj2 Daj3 Dak0 Dak1 DAK2 Dak3 Dak4 Dak5 Dal0
DAL1 DAL2 Dal3 Dal4 Dal5 Dal6
Dal7
写写
Yi
Yj
写
Yk
写
Yl
0
00
0
00
0
10
0
00
[写由打断阅读]
猝发写操作可通过相同的或其他的银行读取被中断。随机列
允许访问。内部写为READ命令间隔（ tWTR ）是最小的1 CLK 。该
在DQ输入数据在中断读周期"don't care" 。 tWTR从第一参考
最后一个数据输入后正边沿。
通过写读（ BL = 8 ， CL = 2.5 ）中断
/ CLK
CLK
命令
A0-9,11
A10
BA0,1
DM
Twtr
QS
DQ
Dai0
Dai1
Qaj0
Qaj1 Qaj2 Qaj3 Qaj4 Qaj5 Qaj6
Qaj7
写
Yi
0
00
读
Yj
0
00
三菱电机
30
