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DDR SDRAM （ Rev.0.1 ）
Jun,'00
初步
三菱的LSI
M2S28D20 / 30 / 40ATP
128M双数据速率同步DRAM
从Vdd的平均电源电流
（大= 0 70
o
C， VDD = VDDQ = 2.5V + 0.2V ， VSS = VSSQ = 0V ，输出开路，除非另有说明）
符号
参数/测试条件
组织
x4
x8
x16
x4
x8
x16
x4/x8/x16
限制（最大）
-75
-10
105
110
120
110
115
135
20
95
105
115
100
110
130
20
单位
笔记
工作电流：一家银行;主动预充电;吨RC = T RC分钟;吨CK
IDD0 = T CK分钟; DQ ， DM和DQS输入每个时钟周期改变的两倍;地址
和控制输入变化一次，每个时钟周期
工作电流：一家银行;主动读预充电;
IDD1突发= 2 ;吨RC = T RC分钟; CL = 2.5 ;吨CK = T CK分钟; IOUT = 0毫安;
地址和控制输入，每个时钟周期改变一次
IDD2P
预充电掉电待机电流：所有银行闲置;加电
关闭模式; CKE <VIL （MAX） ;吨CK = T CK MIN
空闲待机电流： / CS > VIH （ MIN） ;所有银行闲置;
IDD2N CKE > VIH （ MIN） ;吨CK = T CK分钟;地址和其它控制输入变化
一旦每一个时钟周期
IDD3P
ACTIVE POWER- DOWN待机电流：一是银行主动;加电
关闭模式; CKE < VIL （ MAX） ;吨CK = T CK MIN
x4/x8/x16
40
40
x4/x8/x16
x4
x8
x16
x4
x8
x16
x4
x8
x16
x4/x8/x16
x4/x8/x16
40
60
65
75
150
170
210
145
165
200
190
3
40
55
60
70
140
160
200
135
155
180
180
3
mA
主动待机电流： / CS > VIH （ MIN） ; CKE > VIH （ MIN） ;一
银行;主动预充电;吨RC = T RAS MAX ;吨CK = T CK分钟; DQ ， DM和
IDD3N
DQS输入每个时钟周期改变的两倍;地址和其他控制输入
每个时钟周期改变一次
工作电流：胸围= 2 ;读取;可连拍;一家银行主动;
IDD4R地址和控制输入的每个时钟周期改变一次; CL = 2.5;吨CK = T CK
MIN ; IOUT = 0 mA时
工作电流：胸围= 2 ;写;可连拍;一家银行主动;
IDD4W地址和控制输入的每个时钟周期改变一次; CL = 2.5 ;吨CK = T CK
MIN ; DQ ， DM和DQS输入每个时钟周期改变的两倍
IDD5自动刷新电流：吨RC = T RFC （ MIN ）
IDD6自刷新电流： CKE < 0.2V
9
交流工作条件和特点
（大= 0 70
o
C， VDD = VDDQ = 2.5V + 0.2V ， VSS = VSSQ = 0V ，输出开路，除非另有说明）
S YMB 0 1
V IH （ A C ）
V IL （ A C ）
V ID（ A C ）
V IX（ A C ）
IO
II
IO ^ h
IO L
P一个我RA器/测试C 0次ITIO NS
igh-级别INP UT V ltage （ A C ）
罗瓦特 - 等级INP UT V ltage （ A C ）
INP UT 。微分V ltage ，C LK和/ C LK
INP UT RO ssing P输出INT V ltage ，C LK和/ C LK
FF-邦邻UTP UT光凭目前 / Q FLO阿婷V O = 0 V DD Q
INP UT光凭目前 / V IN = 0 V D D Q
UTP UT 室内运动场光凭目前 （V O u那样T = 1 0.9 5 V ）
UTP UT 室内运动场光凭目前 （V O u那样T = 0 0.3 5 V ）
范围
M英寸
V REF + 0 0.3 5
M AX 。
ü尼特
V
V
V
V
A
A
mA
mA
7
8
N}÷ TES
V REF - 0 0.3 5
0 .7
V D D Q + 0 0.6
0 0.5 * V D D Q - 0 0.2 0 0.5 * V D D Q + 0 0.2
-5
5
-2
2
- 1 6 .8
1 6 .8
三菱电机
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