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EDD1216AASE
自动刷新命令[参考]
此命令执行自动刷新。银行和行地址被刷新在内部确定
由内部刷新控制器。平均更新周期是15.6
s.
输出缓冲区变高-Z之后，
自动刷新启动。预充电已自动刷新后自动完成。行为或MRS命令
最后一个自动刷新命令后，可以发出tRFC 。
自刷新进入[自拍]
此命令启动自刷新。自刷新操作继续，只要CKE保持为低。在自
刷新操作，所有的ROW地址被重复清凉由内部刷新控制器。自刷新是
由自刷新退出命令终止。
掉电模式进入[ PDEN ]
tPDEN （ = 1个周期）时发出[ PDEN ]的周期之后。在DDR SDRAM进入掉电模式。在
掉电模式下，功耗是停用输入初始电路抑制。掉电模式
持续而CKE保持为低。在掉电模式下，不发生内部刷新操作。 [ PDEN ]不
禁用的DLL 。
自刷新退出[ SELFX ]
这样的命令，从自刷新模式中退出。发行非读命令， TSNR必须被满足。
（ （ TSNR = ） 10个周期的TCK = 7.5纳秒或12个周期的TCK = 6.0纳秒后[ SELFX ] ）要发出读命令， tSRD有
为满足通过DLL来调整DOUT时机。 （后[ SELFX ] 200次循环）的出口后，输入自动刷新命令
在15.6
s.
掉电退出[ PDEX ]
在DDR SDRAM可循环退出后，从掉电模式tPDEX （ 1分钟周期）时发出[ PDEX ] 。
初步数据表E0614E20 （版本2.0 ）
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