RECTRON
半导体
技术规格
EDB101
THRU
EDB106
玻璃钝化超快速
硅表面贴装整流桥
电压范围为50 400伏特电流1.0安培
特点
*
*
*
*
*
*
*
*
适合自动插入
浪涌过载额定值 - 80安培峰值
理想的印刷电路板
可靠的低造价，利用模压
玻璃钝化装置
极性符号上成型体
安装位置：任意
重量： 1.0克
DB-1
机械数据
*通过UL认证的认证组件目录，文件＃ 94233
*环氧：设备具有UL可燃性分类94V -O
.255 (6.5)
.245 (6.2)
.350 (8.9)
.300 (7.6)
.335 (8.51)
.320 (8.12)
.135 (3.4)
.115 (2.9)
.165 (4.2)
.155 (3.9)
.060
(1.5)
最大额定值和电气特性
在25℃的环境温度额定值除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
o
.020
(0.5)
.205 (5.2)
.195 (5.0)
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值
（在T
A
= 25
o
C除非另有说明）
评级
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大平均正向电流
o
在T
A
= 55 C
峰值正向浪涌电流I
FM
（浪涌） ： 8.3毫秒单半
正弦波叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
典型结电容（注2 ）
工作和存储温度范围
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
C
J
T
J
, T
英镑
15
-65到+ 150
EDB101
50
35
50
EDB102
100
70
100
EDB103
150
105
150
1.0
30
10
EDB104
200
140
200
EDB105
300
210
300
EDB106
400
280
400
单位
伏
伏
伏
安培
安培
pF
0
C
电气特性
（在T
A
= 25°C除非另有说明）
特征
最大正向电压在1.0A DC
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
最大反向恢复时间（注1 ）
注： 1。测试条件：我
F
= 0.5A ，我
R
= -1.0A ，我
RR
=-0.25A.
2.测得1 MH
Z
并施加4.0伏的反向电压。
@T
A
= 25 C
@T
A
=150 C
TRR
o
o
o
符号
V
F
I
R
EDB101
EDB102 EDB103
1.0
EDB104
EDB105 EDB106
1.25
单位
伏
uAmps
5.0
50
50
纳秒
2001-5
