PD - 94310
先进的工艺技术
l
动态的dv / dt额定值
l
175 ° C工作温度
l
快速开关
l
全额定雪崩
l
易于并联的
l
简单的驱动要求
描述
l
第五代HEXFET
从国际的功率MOSFET
整流器采用先进的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，
结合快速开关速度和加固装置
设计，HEXFET功率MOSFET是众所周知的，
为设计者提供了一个非常有效和可靠的
装置，用于在各种各样的应用中使用。
在TO- 220封装普遍首选的所有commercial-
工业应用中的功耗水平
大约50瓦。的低热阻和低
在TO- 220封装成本有助于其广泛接受
在整个工业。
对D
2
白是一种表面贴装功率封装能力
泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了最高
功率能力和尽可能低的导通电阻，在任何
现有的表面贴装封装。对D
2
白是适合于高
由于其较低的内部连接的当前应用程序
性和可耗散高达2.0W在一个典型的表面
安装应用程序。
通孔版（ IRF634NL ）可用于低
配置文件应用程序。
IRF634N
IRF634NS
IRF634NL
HEXFET
功率MOSFET
D
V
DSS
= 250V
R
DS （ ON）
= 0.435
G
S
I
D
= 8.0A
TO-220AB
IRF634N
D
2
PAK
IRF634NS
TO-262
IRF634NL
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
A
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3 srew
马克斯。
8.0
5.6
32
88
3.8
0.59
± 20
110
4.8
8.8
7.3
-55到+175
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅在（ 1.1N m）的
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
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9/10/01
