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EBD11ED8ADFB
PD系列矩阵
第一个字节
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
函数来描述
通过模块使用的字节数
生产厂家
串行PD的总字节数
设备
内存类型
行地址数
列地址的数
DIMM行列数
模块数据宽度
模块数据宽度的延续
DDR SDRAM的周期时间， CL = 2.5
-6B
-7A ， -7B
10
从时钟SDRAM存取（ TAC）
-6B
-7A ， -7B
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
DIMM配置类型
刷新率/类型
主SDRAM宽度
错误检查SDRAM的宽度
SDRAM器件的属性：
最小时钟延迟背到背
接入列
SDRAM器件的属性：
突发长度支持
SDRAM器件属性：数
SDRAM器件银行
SDRAM器件的属性：
/ CAS延时
SDRAM器件的属性：
/ CS延时
SDRAM器件的属性：
/ WE等待时间
SDRAM模块属性
SDRAM的设备属性：一般
在CL最小时钟周期时间= 2
-6b ， -7A
-7B
24
Bit7
1
0
0
0
0
0
0
0
Bit6
0
0
0
0
0
0
1
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
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1
1
0
1
1
0
1
1
位5位4
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0
0
0
1
1
1
1
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1
1
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0
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0
0
0
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0
1
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0
0
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0
0
0
1
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1
1
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1
Bit3
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Bit2
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0
0
位1位0
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0
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0
0
1
1
1
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0
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1
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0
1
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0
0
1
0
0
1
0
0
0
十六进制值
80H
08H
07H
0DH
0BH
02H
48H
00H
04H
60H
75H
70H
75H
02H
82H
08H
08H
01H
0EH
04H
0CH
01H
02H
20H
C0H
75H
A0H
70H
75H
00H
48H
50H
18ns
20ns
评论
128字节
256字节
DDR SDRAM
13
11
2
72位
0
SSTL2
6.0ns*
1
7.5ns*
1
0.7ns*
1
0.75ns*
1
ECC
7.6s
×
8
×
8
1 CLK
2,4,8
4
2, 2.5
0
1
迪FF erential
时钟
VDD = 0.2V
7.5ns*
1
10ns*
1
0.7ns*
1
0.75ns*
1
该组件0的电压电平接口
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
1
从最大数据存取时间（ TAC）
在CL = 2个时钟
0
-6B
-7A ， -7B
0
0
最小行预充电时间（TRP）
-6B
-7A ， -7B
0
0
25至26
27
数据表E0415E20 （版本2.0 ）
5
