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EBD11ED8ADFB
AC特性（ TA = 0 + 70 ° C， VDD ， VDDQ = 2.5V ± 0.2V ， VSS = 0V ）
°
（ DDR SDRAM组件规格）
-6B
参数
时钟周期时间
（CL = 2）的
（CL = 2.5）
CK高电平宽度
CK低电平宽度
CK半期
符号
TCK
TCK
总胆固醇
TCL
THP
分钟。
7.5
6
0.45
0.45
民
（TCH ， TCL ）
马克斯。
12
12
0.55
0.55
—
0.7
0.6
0.45
-7A
分钟。
7.5
7.5
0.45
0.45
民
（TCH ， TCL ）
–0.75
–0.75
—
马克斯。
12
12
0.55
0.55
—
0.75
0.75
0.5
-7B
分钟。
10
7.5
0.45
0.45
民
（TCH ， TCL ）
–0.75
–0.75
—
马克斯。
12
12
0.55
0.55
—
0.75
0.75
0.5
单位注
ns
ns
TCK
TCK
TCK
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
TCK
TCK
ns
ns
ns
ns
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
ns
ns
ns
TCK
ns
ns
ns
8
8
7
9
8
8
7
5, 11
6, 11
2, 11
2, 11
3
10
DQ输出访问时间
TAC
–0.7
CK ， / CK
从DQS输出访问时间
tDQSCK -0.6
CK ， / CK
DQS到DQ歪斜
DQ / DQS输出保持时间
从DQS
数据保持倾斜因子
TDQSQ
tQH
TQHS
—
THP - TQHS -
—
–0.7
–0.7
0.9
0.4
0.45
0.45
1.75
0.55
0.7
0.7
1.1
0.6
—
—
—
—
—
0.6
1.25
—
—
—
—
—
—
—
—
120000
—
—
THP - TQHS -
—
–0.75
–0.75
0.9
0.4
0.5
0.5
1.75
0
0.25
0.4
0.75
0.2
0.2
0.35
0.35
0.9
0.9
2.2
2
45
65
75
0.75
0.75
0.75
1.1
0.6
—
—
—
—
—
0.6
1.25
—
—
—
—
—
—
—
—
120000
—
—
THP - TQHS -
—
–0.75
–0.75
0.9
0.4
0.5
0.5
1.75
0
0.25
0.4
0.75
0.2
0.2
0.35
0.35
0.9
0.9
2.2
2
45
65
75
0.75
0.75
0.75
1.1
0.6
—
—
—
—
—
0.6
1.25
—
—
—
—
—
—
—
—
120000
—
—
数据输出高阻抗
太赫兹
从CK时， / CK
数据输出低阻抗时间
TLZ
从CK ， / CK
阅读序言
阅读后同步
tRPRE
tRPST
DQ和DM输入建立时间TDS
DQ和DM输入保持时间
TDH
DQ和DM输入脉冲宽度tDIPW
写序言建立时间
写序言
写后同步
tWPRES 0
tWPRE
tWPST
0.25
0.4
0.75
0.2
0.2
0.35
0.35
0.75
0.75
2.2
2
42
60
72
写命令第一DQS
tDQSS
闭锁过渡
DQS下降沿到CK安装
TDSS
时间
DQS下降沿保持时间
tDSH
从CK
DQS输入高电平脉冲宽度
DQS输入低脉冲宽度
地址和控制输入
建立时间
地址和控制输入
保持时间
地址和控制输入
脉冲宽度
模式寄存器设置命令
周期
至预充电
指令周期
要积极主动/自动刷新
指令周期
自动刷新主动/自动
刷新命令期
tDQSH
tDQSL
TIS
TIH
tIPW
超过tMRD
tRAS的
TRC
tRFC
数据表E0415E20 （版本2.0 ）
12
