SMBYW04-200 / BYW4200B
图。 7 ：
反向恢复电流对的dI
F
/ DT 。
IRM （ A）
IF = IF （ AV）
90％的置信
图。 8 ：
反向恢复时间对的dI
F
/ DT 。
TRR （ NS ）
IF = IF （ AV）
90％的置信
2.5
2.0
1.5
1.0
Tj=100°C
Tj=25°C
0.5
DIF / DT （ A / μs）内
0.0
1
10
100
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
Tj=100°C
Tj=25°C
DIF / DT （ A / μs）内
1
10
100
图。 9 ：
结电容与反向
电压施加（典型值）。
100
C（ pF）的
F=1MHz
Tj=25°C
图。 10 ：
动态参数与结
温度。
%
250
IF=4A
dIF/dt=50A/s
VR=30V
QRR
50
200
IRM
20
VR （ V）
10
1
10
100
200
150
TRR
100
25
TJ （ ° C）
50
75
100
125
150
图。 11-1 ：
热阻结到环境
相对于在每个铅（环氧铜表面
印刷电路板FR4，铜厚度：
35毫米） （ SMBYW04-200 ） 。
Rth的第（j-一）（ ℃/ W）的
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.0 0.5 1.0 1.5
图。 11-2 ：
热阻结到环境
与选项卡下的铜表面（环氧树脂印刷
电路板FR4 ，铜厚度： 35毫米）
(BYW4200B).
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
Rth的第（j-一）（ ℃/ W）的
S（铜）（平方厘米）
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
S（铜）（平方厘米）
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
4/6
