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AT91SAM7S256初步总结
内存
256 KB闪存
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1024页的256个字节
快速访问时间， 30兆赫在最坏的情况下单周期访问
页编程时间： 4毫秒，包括页面自动擦除
没有自动擦除页编程： 2毫秒
整片擦除时间： 10毫秒
万写周期， 10年数据保持能力
16锁定位，第64页各保护16个扇区
保护模式，以确保对Flash内容
全速单周期访问
64 KB的快速SRAM
存储器映射
内部SRAM
该AT91SAM7S256嵌入了高速64K字节的SRAM银行。复位后，直到
重映射命令执行， SRAM的访问地址为0x0020
0000重映射后， SRAM也可用在地址0x0 。
该AT91SAM7S256功能的256 KB的闪存一家银行。在任何时候，该闪光灯
被映射到地址0×0010 0000也复位后，可访问地址0x0
和重映射命令之前。
图4中。
内部存储器映射
0x0000 0000
0x000F FFFF
内置闪存
闪重映射前
SRAM重映射后
内置闪存
1兆字节
0x0010 0000
1兆字节
0x001F FFFF
0x0020 0000
256M字节
0x002F FFFF
0x0030 0000
内部SRAM
1兆字节
未定义区域
（中止）
253兆字节
0x0FFF FFFF
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6117AS–ATARM–20-Oct-04
