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三菱微型计算机
38B4集团
单片8位CMOS微机
上拉下拉电阻掩膜选项
（对象产品： M38B4XMXH - XXXXFP ）
无论是内置下拉电阻连接或不高亮
击穿电压端口P2
0
到P2
7
和P8
0
到P8
3
可以指定
在订购掩膜ROM 。选项类型可从指定
8种; A到G，P ，如图表11 。
表11掩膜选项的下拉电阻式
选项
TYPE
A ($41)
B ($42)
C ($43)
D ($44)
E ($45)
F ($46)
G ($47)
P ($50)
的下拉电阻结缔组织口
（连“1”的写作）
限制
P2
0
P2
1
P2
2
P2
3
P2
4
P2
5
P2
6
P2
7
P8
0
P8
1
P8
2
P8
3
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
功耗计算示例1
qFixed
根据微型计算机的标准号
V
OH
高击穿端口输出电压降
2V（最大） ; |当前值| =在18毫安
电阻值为43 V / 900
A
= 48千欧（分钟）
内部电路（ CPU ， ROM ， RAM等） = 5 V的功耗
!
15毫安= 75毫瓦
qFixed
根据使用条件数
应用电压V
EE
引脚： Vcc的 - 45 V
时序数17 ;位数16 ;段20号
对Toff的时间比相应的Tdisp时间： 1/16
在重复周期接通段数： 31
在重复周期的所有环节数： 340 （ = 17
!
20)
内置电阻总数：为数字; 16 ，为段; 20
数字引脚电流值： 18 （MA ）
段引脚电流值： 3 （MA ）
（ 1 ）数字引脚的功耗
{18
!
16
!
(1–1/16)
!
2 } / 17 = 31.77毫瓦
（ 2 ）段引脚的功耗
{3
!
31
!
(1–1/16)
!
2 } / 17 = 10.26毫瓦
（ 3 ）上拉下拉电阻的功率耗散（数字）
(45 – 2)
2
/48
!
(16
!
16/16)
!
（ 1 - 1/16 ） / 17 = 33.99毫瓦
（ 4 ）上拉下拉电阻的功率耗散（段）
(45 – 2)
2
/48
!
(31
!
20/20)
!
（ 1 - 1/16 ） / 17 = 65.86毫瓦
（5 ）内部电路的功耗（CPU ，ROM，RAM等） = 75毫瓦
（1）+ （2）+ （3） +（4） +（5） = 217毫瓦
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
（注4 ）
注1 ：
的高击穿电压的端口的电气特性
P2
0
到P2
7
和P8
0
到P8
3
的内置下拉电阻是
相同的高击穿电压的端口P0
0
为P0
7
.
2:
功耗的绝对最大额定值可能
超过由于内置的下拉电阻的数量。后
计算功耗，指定选项类型。
3:
一次性可编程ROM版和EPROM版本不能
指定是否内置下拉电阻连接或不
同样的选项类型A.
4:
INT
3
功能和CNTR
1
函数不能在该选项被用来
键入P.
功耗的计算方法
qFixed
根据微型计算机的标准号
V
OH
高击穿端口输出电压降
2V（最大） ; |当前值| =在18毫安
电阻值为43 V / 900
A
= 48千欧（分钟）
内部电路（ CPU ， ROM ， RAM等） = 5 V的功耗
!
15毫安= 75毫瓦
qFixed
根据使用条件数
应用电压V
EE
引脚： Vcc的 - 45 V
时序数;数字B ;段号C
对Toff的时间比相应的Tdisp时间： 1/16
在重复周期接通段号：D
在重复周期的所有环节号码： E（ =一
!
c)
内置电阻总数：为数字;楼的段;克
数字引脚电流值h （毫安）
段引脚电流值I （毫安）
（ 1 ）数字引脚的功耗
{h
!
b
!
(1–Toff/Tdisp)
!
电压} / A
（ 2 ）段引脚的功耗
{i
!
d
!
(1–Toff/Tdisp)
!
电压} / A
（ 3 ）上拉下拉电阻的功率耗散（数字）
每1位{功耗
!
(b
!
F / B）
!
（ 1 -的Toff / Tdisp ）} /一
（ 4 ）上拉下拉电阻的功率耗散（段）
每1段{功耗
!
(d
!
G / C ）
!
（ 1 -的Toff / Tdisp ）} /一
（5 ）内部电路的功耗（CPU ，ROM，RAM等） = 75毫瓦
（1）+ （2）+ （3） +（4） +（5） = X毫瓦
DIG0
DIG1
DIG2
DIG3
DIG14
DIG15
DIG16
时序数
1
2
3
REPEAT循环
TSCAN
14
15
16
17
图。 75位的定时波形（1）
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