MAT02–SPECIFICATIONS
电气特性
(@ V
参数
电流增益
符号
h
FE
CB
= 15 V，I
C
= 10 A，T
A
= 25℃，除非另有说明。 ）
MAT02A/E
最小典型最大
500
500
400
300
605
590
550
485
0.5
10
10
10
5
5
30
0.3
25
35
35
1.6
0.9
0.85
0.85
0.05
MAT02F
最小值典型值
最大
400
400
300
200
2
50
25
25
25
25
70
0.5
200
200
200
2
1
1
1
0.1
25
0.6
40
200
23
35
200
23
35
605
590
550
485
0.5
80
10
10
5
5
30
0.3
25
35
35
1.6
0.9
0.85
0.85
0.05
单位
条件
I
C
= 1毫安
1
I
C
= 100
A
I
C
= 10
A
I
C
= 1
A
10
A ≤
I
C
≤
1毫安
2
V
CB
= 0, 1
A ≤
I
C
≤
1毫安
3
0
≤
V
CB
≤
V
最大
,
4
1
A ≤
I
C
≤
1毫安
3
V
CB
= 0 V
1
A ≤
I
C
≤
1毫安
3
0
≤
V
CB
≤
V
最大
10
A ≤
I
C
≤
10毫安
5
V
CB
= V
最大
V
CC
= V
MAX5 ， 6
V
CE
= V
MAX5 ， 6
V
BE
= 0
I
C
= 1毫安， V
CB
= 0
7
f
O
= 10赫兹
f
O
= 100赫兹
f
O
= 1千赫
f
O
= 10千赫
I
C
= 1毫安，我
B
= 100
A
I
C
= 10
A
I
C
= 10
A
电流增益匹配
失调电压
失调电压
改变与V
CB
失调电压变化
与集电极电流
失调电流
改变与V
CB
体积电阻
集电极 - 基
漏电流
收藏家，收藏家
漏电流
集电极 - 发射极
漏电流
噪声电压密度
h
FE
V
OS
V
OS
/V
CB
V
OS
/I
C
I
OS
/V
CB
r
BE
I
CBO
I
CC
I
CES
e
n
4
150
50
50
50
50
70
0.5
400
400
400
3
2
2
2
0.2
34
1.3
%
V
V
V
V
V
PA / V
pA
pA
pA
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
V
nA
nA
V
兆赫
pF
pF
集电极饱和
电压
输入偏置电流
输入失调电流
击穿电压
增益带宽积
输出电容
收藏家，收藏家
电容
V
CE （ SAT ）
I
B
I
OS
BV
首席执行官
f
T
C
OB
C
CC
40
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 10 V
V
CB
= 15 V，I
E
= 0
V
CC
= 0
笔记
1
电流增益保证与集电极 - 基极电压（V
CB
）横扫从0到V
最大
在指定的集电极电流。
100 (I
B
) (h
FE
分）
2
电流增益匹配（△H
FE
）是德网络定义为：
h
FE =
I
C
3
测量我
C
= 10
A
并保证通过设计对我指定范围
C
.
4
这是V的最大变化
OS
为V
CB
被横扫从0 V至40 V.
5
通过设计保证。
6
I
CC
我
CES
被我验证了测量
CBO
.
7
样品测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
版本C
