DC电气规格
注意事项：
1
θ
JA
和
Ψ
jt
参数进行模拟，根据EIA / JESD标准51-2为自然对流。
飞思卡尔建议使用
θ
JA
并且在系统设计功耗规格，以防止设备
结温度超过额定规格。系统设计应注意设备
结温可以通过电路板布局和周边设备上显著的影响。是否符合
器件结温规格可以通过物理测量在客户的系统使用来验证
该
Ψ
jt
参数，该设备的功耗，并且在EIA / JESD标准51-2中记载的方法。
2
根据JEDEC JESD51-6与董事会的水平。
3
模具和根据JEDEC JESD51-8所述印刷电路板之间的热阻。主板温度
在电路板上封装附近的顶表面上进行测量。
4
模具和通过冷板的方法测定的情况下，顶面（MIL之间的热阻
SPEC -883方法1012.1 ） 。
5
指示包装顶部和连接处之间的温差热特性参数
温度每JEDEC JESD51-2 。当希腊字母都没有用，热特性参数
写为幽-JT 。
3
DC电气规格
表4.直流电特定网络阳离子
特征
外部（ I / O焊盘），工作电压范围
存储器（ I / O焊盘），工作电压范围（ DDR内存）
内部逻辑工作电压范围
1
PLL模拟工作电压范围
1
USB振荡器工作电压范围
USB数字逻辑工作电压范围
USB PHY的操作电压范围内
USB振荡器的模拟工作电压范围
USB PLL工作电压范围
输入电压高3.3V SSTL （ SDR DRAM ）
输入低电压3.3V SSTL （ SDR DRAM ）
输入电压高2.5V SSTL （ DDR DRAM ）
输入低电压SSTL 2.5V （ DDR DRAM ）
输出高电压I
OH
= 8毫安， 16毫安， 24毫安
输出低电压I
OL
= 8毫安， 16毫安， 24毫安
5
电容
2
, V
in
= 0 V ， F = 1兆赫
符号
EV
DD
SD V
DD
IV
DD
PLL V
DD
USB_OSV
DD
USBV
DD
USB_PHYV
DD
USB_OSCAV
DD
USB_PLLV
DD
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
C
IN
民
3.0
2.30
1.43
1.43
3.0
3.0
3.0
1.43
1.43
2.0
–0.5
2.0
–0.5
2.4
—
—
最大
3.6
2.70
1.58
1.58
3.6
3.6
3.6
1.58
1.58
3.6
0.8
2.8
0.8
—
0.5
待定
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
pF
表4
列出的DC电的操作温度。该表格是根据工作电压
EV
DD
= 3.3 V
DC
± 0.3 V
DC
和四
DD
1.5 ± 0.07 V
DC
.
注意事项：
1
IV
DD
和PLL V
DD
应该在相同的电压。 PLL V
DD
应该有一个滤波后的输入。请参阅
图1
为
例如电路。注：有三个PLL V
DD
输入。滤波电路应该用在每个PLL V
DD
输入。
2
电容C
IN
周期性采样，而不是100 ％测试。
MCF547x集成的微处理器的电气特性，第2版
飞思卡尔半导体公司
3
