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MCP111/112
4.2
负向V
DD
瞬变
4.3
所需的最小脉冲宽度（时间），以使一个
复位可以在implementa-一个重要的标准
化上电复位电路。这个时间被称为
短暂的持续时间，并且所需的时间量
这些监控设备在V下降响应
DD
.
瞬态持续时间取决于magni-
第五突地
旅
– V
DD
。一般来说，瞬时
与增加的V持续下降
旅
– V
DD
.
图4-3显示了一个典型的瞬态持续时间与复位
比较器超速为其MCP111 / 112
不产生复位脉冲。它表明，该更远
低于触发点的瞬态脉冲高一尺，
所需要的脉冲的持续时间，以产生一个复位得到
短。图2-18显示了瞬态响应
特色的MCP111 / 112 。
一个0.1 μF旁路电容安装在尽可能靠近到
在V
DD
引脚提供额外的瞬态抑制
（参见图4-1）。
温度对超时
期间（t
RPU
)
超时周期（T
RPU
）决定多久
器件保持在复位状态。这是影响
双方V
DD
和温度。中所示的曲线图
图2-22 ， 2-23和2-24显示了典型的
为响应不同的V
DD
值和温度。
5V
电源电压
V
TRIP （分钟）
- V
DD
V
TRIP （最大）
V
TRIP （分钟）
t
TRANS
时间（μs ）
0V
图4-3：
典型的例子
瞬态持续时间波形。
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2004年Microchip的科技公司
