光电晶体管光耦合器
MCT2
MCT2200
MCT2E
MCT2201
MCT210
MCT2202
MCT271
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
参数
辐射源
MCT2/-M
MCT2E/-M
MCT271
MCT2200
MCT2201
MCT2202
MCT210
MCT2/-M
MCT2E/-M
MCT271
MCT2200
MCT2201
MCT2202
MCT210
BV
首席执行官
所有
MCT210
MCT2/-M
MCT2E/-M
MCT271
MCT2200
MCT2201
MCT2202
MCT210
MCT2/-M
MCT2E/-M
MCT271
MCT2200
MCT2201
MCT2202
MCT210
I
首席执行官
I
CBO
C
CE
所有
所有
所有
8
30
100
V
测试条件
符号
设备
民
典型**
最大
单位
输入正向电压
(I
F
= 20 mA）的
V
F
1.25
1.50
V
(T
A
= 0-70 ° C，I
F
= 40 mA）的
1.33
反向漏电流
(V
R
= 3.0 V)
I
R
0.001
10
A
(T
A
= 0-70 ° C，V
R
= 6.0 V)
探测器
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0)
(T
A
= 0-70°C)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 10 μA ，我
F
= 0)
BV
CBO
70
120
V
(T
A
= 0-70°C)
30
发射极 - 集电极击穿电压
(I
E
= 100 A ，我
F
= 0)
BV
ECO
7
10
V
(T
A
= 0-70°C)
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 基极暗电流
电容
在T **典型值
A
= 25°C
(V
CE
= 10 V，I
F
= 0)
(V
CE
= 5 V ，T
A
= 0-70°C)
(V
CB
= 10 V，I
F
= 0)
(V
CE
= 0 V ， F = 1兆赫）
6
10
1
50
30
20
nA
A
nA
pF
2005仙童半导体公司
第15 3
6/15/05
