MDS212
18.2.1.3
31
数据表
DCR1 - 签名，修订&号注册
非零等待状态，
h7C4
25 24
20
19
访问：
地址：
直接访问，写入/读取
16 15
12 11
8 7
4
3
2
0
DEV_ID
位[3：0 ]
位[6：4 ]
位[15：8 ]
设备版本代码
版权所有
签名
8位器件签名
签名
转
位[ 19:16 ]保留
位[ 24:20 ] DEV_ID
位[ 31:25 ]保留
5位设备ID （读/写）
18.2.1.4
31
DCR2 - 设备配置寄存器
非零等待状态，
h7C8
27
26 25
22 21 20
19
访问：
地址：
直接访问，写入/读取
18 17
9
8
7
6
5
4
3
2
0
1
引导绳
IP
MC
FE和MAC
SE配置
MT
ML
SM
IP
SC
比特[1：0 ]
SC
系统时钟速率
00 = 100Mhz的
01 = 120MHz的
默认值= 00
10=90Mhz
11=80Mhz
比特[2]
IP
IRQ输出极性控制上电默认值= 0
0 =低电平有效输出
1 =高电平有效输出
比特[3]
SM
系统配置模式
0 =无阻塞（对于MDS212 ，总是等于0 ）
1=Blocking
SRAM存储器特性
位[4]
ML
缓冲存储器级，其可以是2片或4片。
0 = 2内存芯片
1 = 4的内存芯片
位[ 6:5 ]
MT
内存芯片型号
00 = 64K ×32位
10 = 256K ×32位
位[ 8:7 ]
版权所有
默认值= 01
01 = 128K ×32位
11 = 512K ×32位
默认值= 0
67
卓联半导体公司
