半导体
技术参数
交流发电机二极管，用于汽车应用。
E35A23VDS ， E35A23VDR
堆栈硅扩散二极管
F
E
特点
平均正向电流：I
O
=35A.
齐纳电压： 23V （典型值）。
极性
E35A23VDS （ +型）
E35A23VDR （ - 型）
L1
G
B
A
最大额定值（ TA = 25
特征
平均正向电流
峰1周期浪涌电流
重复峰值电压Revese
结温
存储温度范围
)
符号
I
F（ AV ）
I
FSM
V
RRM
T
j
T
英镑
等级
35
350
（ 10ms的条件）
17
-40 200
-40 200
单位
A
A
V
DIM MILLIMETERS DIM MILLIMETERS
_
_
A
9.5 + 0.2
E
3.1+ 0.1
_
+ 0.2
F
Φ1.5
B
8.4
G
R0.5
C
1.2
_
L1
5 + 0.4
D
1
DIM TYPE极性
S
L2
R
MILLIMETERS
_
19.0 + 1.0
_
23.0 + 1.0
PD
电气特性（ TA = 25 ）
特征
峰值正向电压
反向电压
反向重复峰值电流
齐纳电压
温度COEF网络cient
反向漏电流在
高温
耐温性
T
符号
V
FM
V
Z
I
RRM
测试条件
I
FM
=100A
I
R
=10mA
V
R
=17V
I
Z
=10mA
TA = 150 ，V
R
=V
RM
结到外壳
分钟。
-
20
-
-
-
-
典型值。
-
23
-
0.077
-
0.8
马克斯。
1.15
26
10
-
2.5
-
C
D
单位
V
V
A
%/
mA
/W
HI
R
R
th
2000. 7. 11
版本号： 0
L2
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