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飞思卡尔半导体公司
操作模式和片上存储器
扩展总线是由端口B和C ，和控制信号AS（地址
选通）和R / W （读/写） 。 R / W和AS允许低位地址和
8位数据总线进行复用在相同的针。在第一巴士每半
周期的地址信息是否存在。在每个总线周期的后半期
销成为双向数据总线。 AS是一个高电平有效的锁存器使能信号，用于
外部地址锁存器中。地址信息是通过透明允许
锁存器而AS高，被锁定在作为驱动器的低。
的地址，读/写，和AS信号是活动的，适用于所有的总线周期，包括
存取内部存储器位置。电子时钟用于启用外部
设备中的读出总线上的第二半数据驱动到内部数据总线
周期（E时钟的高点） 。 R / W控制数据传输的方向。 R / W驱动器的低
当数据被写入到内部数据总线。 R / W将在保持低
连续数据总线写周期中，当一个双字节商店发生如。
请参阅
图2-1 。
注意：
写使能信号，外部存储器是电子时钟和的NAND
倒置R / W信号。
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PB7
PB6
PB5
PB4
PB3
PB2
PB1
PB0
HC373
PC7
PC6
PC5
PC4
PC3
PC2
PC1
PC0
AS
读/写
E
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
LE
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
Q8
OE
ADDR15
ADDR14
ADDR13
ADDR12
ADDR11
ADDR10
ADDR9
ADDR8
ADDR7
ADDR6
ADDR5
ADDR4
ADDR3
ADDR2
ADDR1
ADDR0
WE
OE
DATA7
DATA6
DATA5
DATA4
DATA3
DATA2
DATA1
DATA0
MCU
图2-1 。地址/数据解复用
2.2.3测试模式
测试模式中，经扩展模式的变化，主要是在摩托罗拉的使用
内部生产测试;但是，它是用于编程的访问
数据表
34
操作模式和片上存储器
M68HC11E家庭 - 启示录5
摩托罗拉
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