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s
ML53612
s
6.5 H.100 / H.110总线时序特定网络阳离子
（从H.100 / H.110规格提取物， 1.0版）
参数
时钟边沿速率（所有时钟）
CT_C8_ （A / B）和CT_FRAME_ （A / B ） _N
边沿速率
CT_NETREF边缘速率
时钟CT_C8_ （A / B ）期
时钟CT_C8_ （A / B ）高电平时间
H.100
H.110
时钟CT_C8_ （A / B ）低电平时间
H.100
H.110
数据采样点
数据输出为HiZ时间
H.100
H.110
数据成为HiZ到输出时间
H.100
H.110
数据输出的延迟时间
H.100
H.110
数据有效时间
H.100
H.110
数据无效时间
H.100
H.110
CT_FRAME_ （A / B ） _N宽
CT_FRAME_ （A / B ） _N建立时间
CT_FRAME_ （A / B ） _N保持时间
相位校正
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.
16.
TFP
TFS
TFH
Φ
TDIV
TDV
TDOD
tZDO
TSAMP
TDOZ
-20
-10
0
0
0
0
0
0
102
102
90
45
45
0
122
Tc8l
H.100
H.110
H.110
Tc8p
Tc8h
122.066-Φ
49-Φ
63-Φ
49-Φ
63-Φ
90
0
0
22
11
22
11
69
83
112
112
180
90
90
10
符号
民
0.25
0.25
典型值
最大
2
2
0.3
122.074+Φ
73+Φ
69+Φ
73+Φ
69+Φ
单位
V / ns的
V / ns的
V / ns的
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
[17]
[15] [16]
[1]
[1]
笔记
[2]
[3]
[4]
[4] [5]
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[7] [8]
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上升和下降时间是由V / ns的边沿速率决定。最大优势是速度最快的速率时钟转换。
10％ - 90％。测试负载= 150 pF的。
Tc8p最小值和最大值都在自由运行的假设条件下±32 ppm的时钟精度。
非累积，仍然需要得到满足Tc8p要求。
在无负载条件下测得的发射器工作周期。
仅供参考
测试负载 - 200 pF的
在发射机处测量。
Tdoz和Tzdo适用在每个时隙的边界。
测试负载 - 12 pF的
测定在接收机处。
仅供参考： TDV = MAX 。时钟电缆延迟+最大。数据电缆延迟+最大。数据成为HiZ输出时间为12ns = +为35ns + 22纳秒= 69nS 。马克斯。时钟
电缆延迟和最大。数据线延迟是基于电子模拟最坏情况的数字。
仅供参考： TDV = MAX 。背板时钟延迟+最大。数据背板延迟+最大。数据成为HiZ输出时间=约为26ns + 46nS + 11ns的= 83nS 。马克斯。
时钟延迟和最大。数据延迟是基于电子模拟最坏情况的数字。
基于最坏的情况下电气仿真。
这个范围占
Φ
（相位校正） 。
T细胞=最大。背板时钟延迟+最大。数据背板延迟+最大。 Tzdo + （最小Tdiv - 最大TDV ） +最大Tdoz + F =约为26ns + 46nS + 11ns的+
（ 102nS - 83nS ） +为10ns +为10ns = 122nS 。马克斯。时钟延迟和最大。数据延迟是基于电子模拟最坏情况的数字。
OKI半导体
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