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乐山无线电公司， LTD 。
偏置电阻晶体管
PNP硅表面贴装晶体管，
单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单个装置及其
外部电阻偏置网络。快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含一个晶体管
TOR与单片偏置网络由两个电阻器;一系列的基极电阻和一
基极 - 发射极resistor.The BRT通过整合他们消除了这些单独的部件
到单个设备中。使用BRT可降低系统成本和电路板空间。该
设备被容纳在SOT-23封装是
专为低功率表面贴装应用。
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
采用SOT -23封装，可以使用波焊接或
回流。修改后的鸥翼引线吸收热
焊接时的应力消除的可能性
损坏模具。
可在8毫米压纹卷带包装。使用
设备号订购的7英寸/ 3000单元卷轴。
替换“ T1”与“ T3 ”的设备号命令
13英寸/ 10,000件卷轴
MMUN2111RLT1
MMUN2112RLT1
MMUN2113RLT1
MMUN2114RLT1
MMUN2115RLT1
MMUN2116RLT1
MMUN2130RLT1
MMUN2131RLT1
MMUN2132RLT1
MMUN2133RLT1
MMUN2134RLT1
PNP硅
偏置电阻
晶体管
PIN1
BASE
（输入）
R1
R2
PIN3
集热器
（输出）
1
PIN2
辐射源
（接地）
2
3
CASE 318-08 ，风格6
SOT- 23 （ TO- 236AB ）
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
总功率耗散@ T
A
= 25°C
(1)
减免上述25℃
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
D
价值
50
50
100
200
1.6
价值
625
-65到+150
260
10
单位
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
单位
° C / W
°C
°C
美国证券交易委员会
R2 （ K）
10
22
47
47
热特性
等级
热电阻 - 结到环境（表面贴装）
工作和存储温度范围
最大焊接温度的目的
在焊接洗澡时间
符号
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
T
L
器件标识和电阻值
设备
MMUN2111LT1
MMUN2112LT1
MMUN2113LT1
记号
A6A
A6B
A6C
R1 （ K）
10
22
47
MMUN2114LT1
A6D
10
MMUN2115LT1
(2)
A6E
10
1.装置安装在使用推荐的最低足迹的FR-4玻璃环氧印刷电路板。
2.新设备。更新时间曲线跟随在后面的数据表。
8
Q1–1/7
