
编程步骤
编程是通过书面形式向所有的字一行内完成,
一个字又相继下,在一个单一的高
电压脉冲为整个行。这是不可能编程
单字节。编程应该只是做了上抹去
行。
编程行需要执行以下代码序列:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
验证MSTAT.PGMBUSY位清零。
禁止任何允许的中断。
写正确的密钥值到PGMKEY寄存器。
输入所需单词的行中的最低地址。
等到了FLCSR.PMLFULL位清0 。
写正确的密钥值到PGMKEY寄存器。
输入所需单词的行的下一个地址。
重复步骤5,6和7中,直到整个行被写入。
重新启用在步骤2中禁用任何中断。
该寄存器的格式如下所示。
7
6
5
4
IENPROG
3
PMLFULL
2
PMBUSY
1
抹去
0
版权所有
版权所有
抹去
PMBUSY
编程的值可以通过正常的读验证OP-
操作从适用的存储器位置。
每次写一个字到闪存程序存储器US-
荷兰国际集团的过程刚刚描述的,该数据字被存储在一个
2级写数据缓冲器。而写的第一个字
程序存储器处于闲置状态开始写周期。由于双精度型
写路径的缓冲,第二字可以写入到
程序存储器中,而第一个字还是被亲
编程。写第二个字套FLCSR.PML-
满标志,因而指示该写数据缓冲区是满的。
当第一个字的编程操作完成时,存储器AD-
裙被递增,第二个字的编程
开始,并且PLCSR.PMFULL标志被清除。下一个
词可以被写入到写数据缓冲器。这种亲
塞斯被重复,直到有,在缓冲器中没有更多的字
或整行已被编程。所有的这种情况
在相同的高电压编程脉冲。
如果发生在擦除或编程的中间一个复位
操作时,该操作被终止。复位扩展
直到闪速存储器返回到空闲状态。
8.1.5
擦除和编程时序
PMLFULL
IENPROG
擦除闪存程序存储器页。当设置
( 1 ) ,写程序存储器擦除
包含寻址的存储整个页面
位置。当清零( 0 ) ,写亲
程序存储器无论是对编程没有影响
铭记忆单词(如果设置正确的
编程) 。该位只应改变
当闪存不忙存在亲
编程或擦除。
程序存储器忙。此位是automatical-
LY设置为1时,闪存程序存储器
正在忙于编程,清0 ,在所有
其他时间。 (该MSTAT.PGMBUSY也设置
1每当PMBUSY位被设置为1 )
程序存储器写锁存缓冲器满。
当设置(1) ,所述双缓冲数据寄存器
对程序存储器的写操作是满的。
当清零( 0 ) ,双缓冲数据
寄存器是不完整的。
中断允许程序存储器写入。
当设置( 1 ) ,闪存程序存储器的写
机制产生一个中断时
从1 PMLFULL位变为0,这是一个
信号到CPU写入下一个字的亲
编程。当IENPROG被清除,没有
这样产生中断。
8.1.7
程序存储器定时预分频器注册
( FLPSLR )
该FLPSLR寄存器是一个字节宽,读/写寄存器,
选择预分频器分频比为闪存程序存储
储器编程时钟。在你编程或擦除亲
程序存储器的第一次,你应该编程
FLPSLR与适当的预分频值,一个8位寄存器val-
UE叫FTDIV 。该装置由( FT-分割系统时钟
DIV + 1 ),以产生所述程序存储器的编程时钟。
你应该选择FTDIV的价值,产生的时钟
尽可能高的频率,它等于或刚刚小于
200千赫。例如,如果系统时钟频率是12.5
兆赫,使用值3E十六进制( 62十进制)的FTDIV ,因为
12.5兆赫/ (62 + 1)= 198.4千赫。请不要修改这个寄存器
而闪存编程或擦除操作正在进行中。
复位时,这个寄存器进行编程默认的
值33进制(51十进制),这是一个适当的设置
10.4 MHz的系统时钟。
8.1.8
程序存储器写密钥寄存器( PGMKEY )
该装置的内部硬件处理的时序
擦除和编程操作。驱动定时CON-
控制电路,该设备由一个亲将系统时钟
可编程预分频因子。你应该选择一个分频器
值产生一个编程/擦除的200 kHz时钟(或
关闭尽可能至200千赫,而不会超出200千赫) 。
对于时序控制电路正常工作,你必须
计划提前预分频值,并把它非
而改变编程或擦除操作正在进行。
类似的(但单独的)的分频因子施加到EE-
PROM的数据存储器。见Section8.1.7和Section8.3.4的
详细信息。
8.1.6
闪存程序存储器控制和状态
注册( FLCSR )
闪存程序存储器控制和状态( FLCSR )
寄存器是一个字节宽,读/写寄存器,包含sev-
相关的程序存储器全部擦除状态和控制位。
在复位时,该寄存器被清零时的闪
存储器芯片上处于空闲状态。
该PGMKEY寄存器是一个字节宽,只写寄存器,
必须写入的密钥值(A3十六进制)之前立即
每个写入闪存程序存储器。否则,该
写操作的程序存储器将失败。此功能
是为了防止亲的无意编程
程序存储器。
读该寄存器总是返回十六进制的FF 。
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