MPF4392 MPF4393
= VDD
RD
SET VDS （关闭） = 10 V
输入
RGEN
50
50
VGEN
输入脉冲
tr
≤
0.25纳秒
tf
≤
0.5纳秒
脉冲宽度= 2.0
s
占空比
≤
2.0%
RK
RGG
VGG
RT
产量
50
注1
使用上面所示的开关特性进行测定
测试电路类似于图5.在切换的开始
间隔中，栅极电压处于门电源电压（ -VGG ） 。该
漏源极电压（ VDS ）比漏极供电略低
电压（VDD）由于分压器。因此，反向传输
电容（的Crss ）或栅 - 漏电容（CGD ）装入
VGG + VDS 。
在导通时间，栅源电容（C GS）
放电通过RGen元和RK的串联组合。 CGD绝
放电到VDS （上）通过RG和RK串联在平行
有效负载阻抗相结合（ R'D ）和漏源
电阻（RDS） 。在关断时，该电荷流是相反的。
预测的导通时间是作为信道有点困难
电阻RDS的是栅极 - 源极电压的函数。同时的Cgs
放电， VGS接近零和RDS下降。由于Cgd的
放电通过RDS ，开启时间是非线性的。在关断时，
情况正好相反，带RDS增加为Cgd的费用。
上述的开关曲线显示两个阻抗条件：
1 ） RK等于RD
′
它模拟的转换行为
级联级，其中所述驱动源阻抗通常是
前级的负载阻抗，以及2） RK = 0（低阻抗）的
驱动源阻抗是发电机的。
RGG
＆放大器;
RK
RD
′
= RD （室温+ 50）
RD + RT + 50
图5.开关时间测试电路
FS ，远期转移导纳（毫姆欧）
20
MPF4392
10
MPF4393
7.0
5.0
Tchannel = 25°C
VDS = 15 V
C，电容（pF ）
15
10
CGS
7.0
5.0
Tchannel = 25°C
（硫化镉可以忽略不计）
CGD
3.0
2.0
0.5 0.7 1.0
3.0
2.0
1.5
2.0 3.0
5.0 7.0 10
ID ，漏极电流（毫安）
20
30
50
1.0
0.03 0.05
0.1
0.3 0.5 1.0
3.0 5.0
VR ，反向电压（伏）
10
30
图6.典型正向转移导纳
图7.典型电容
200
RDS（ON ） ，漏极 - 源极导通状态
电阻（标准化）
RDS（ON ） ，漏极 - 源极导通状态
电阻（欧姆）
IDSS
= 10
160毫安
25
mA
50毫安
75毫安百毫安
125毫安
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
–70
–40
110
20
50
80
Tchannel ，路温度（ ° C）
–10
140
170
ID = 1.0毫安
VGS = 0
120
80
40
Tchannel = 25°C
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
VGS ，栅源电压（伏）
7.0
8.0
的栅源电压图8.影响
在漏源电阻
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
图9.影响温度对
漏源导通电阻
3
