2兆ROM + 256千比特SRAM ，ROM / RAM组合

SST30VR023

数据表

产品特点：

组织为256K ×8 ROM + 32K ×8 SRAM

单片芯片上的ROM / RAM组合

Equavalent ComboMemory （闪存+ SRAM ） ：

产品代码开发和生产前

低功耗：

- 待机

3.0V操作： 3 μW （典型值）

- 工作

3.0V操作： 10毫瓦（典型值）

全静态工作

- 无时钟或刷新要求

三态输出

封装

- 32引脚TSOP （采用8mm x 13.4毫米）

- 32引脚TSOP （采用8mm x 14毫米）

1

2

3

4

5

宽工作电压范围： 2.7-3.3V

芯片存取时间

- 2.7V操作： 500纳秒（最大）

产品说明

该SST30VR023是ROM / RAM组合芯片consist-

ING的2只兆位只读存储器组织为256

千字节和一个256千位的静态随机存取存储器

组织为32千字节。

该器件采用SST先进的CMOS制造

低功耗处理技术。

该SST30VR023具有输出使能输入，用于精确

控制的数据输出。它也有两个单独的芯片

使能输入用于选择任一ROM或RAM以及用于

在掉电模式下最大限度地降低漏电流。

该SST30VR023特别适于搭配使用

低电源电压（ 2.7-3.3V ），如寻呼机， organiz-

器和其他手持式应用。

6

7

8

9

F

UNCTIONAL

B

LOCK

D

作者IAGRAM

SST30VR023 ROM / RAM

翁布

10

11

12

数据缓冲区

DQ7-DQ0

RAMCS ＃

ROMCS ＃

OE ＃

WE＃

控制

电路

RAMCS ＃

OE ＃

WE＃

内存

地址缓冲器

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15

ROMCS ＃

OE ＃

AMS-A0

只读存储器

注： AMS =高位地址

380 ILL B1.1

16

2000硅存储技术公司

在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ，Inc.的商标ComboMemory是商标

380-04 2/00

1

了Silicon Storage Technology ， Inc.的规格若有变更，恕不另行通知。

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