MTD15N06V
典型电气特性
30
TJ = 25°C
I D ，漏极电流（ AMPS ）
25
20
15
10
5V
5
0
6V
VGS = 10 V
9V
8V
I D ，漏极电流（ AMPS ）
7V
30
VDS
≥
10 V
25
20
15
10
5
0
25°C
TJ = - 55°C
100°C
0
1
2
3
4
5
6
7
2
4
6
8
10
VDS ，漏极至源极电压（伏）
VGS ，栅极至源极电压（伏）
图1.区域特征
R DS （ ON） ，漏极至源极电阻（欧姆）
R DS （ ON） ，漏极至源极电阻（欧姆）
图2.传输特性
0.20
VGS = 10 V
0.15
0.13
TJ = 25°C
0.11
TJ = 100℃
0.10
25°C
– 55°C
0.09
VGS = 10 V
0.05
15 V
0.07
0
0.05
0
5
10
15
20
ID ，漏极电流（ AMPS ）
25
30
0
5
10
15
20
25
30
ID ，漏极电流（ AMPS ）
图3.导通电阻与漏电流
和温度
图4.导通电阻与漏电流
与栅极电压
RDS （ ON） ，漏极 - 源极电阻
（归一化）
2
VGS = 10 V
ID = 7.5 A
1.6
我DSS ，漏电（ NA）
100
VGS = 0 V
1.2
TJ = 125°C
0.8
0.4
– 50
– 25
0
25
50
75
100
125
150
175
10
0
TJ ，结温（ ° C）
30
10
20
40
50
VDS ，漏极至源极电压（伏）
60
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏极 - 源极漏
电流与电压
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
3
