摩托罗拉

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通过MTP10N10EL / D

数据表

逻辑电平TMOS E- FET 。

功率场效应晶体管

设计师

MTP10N10EL

摩托罗拉的首选设备

N沟道增强型硅栅

这种先进的TMOS功率场效应管的设计可承受高

能在雪崩和减刑模式。这种新能源

高效的设计也提供了漏极 - 源极二极管具有快速

恢复时间。专为低电压，高速开关

电源供应器，转换器和PWM电机应用

的控制，这些设备特别适合井为电桥电路

其中，二极管速度和换向安全工作区域

批判和对提供额外的意外安全边际

电压瞬变。

较高的雪崩能量

源极到漏极二极管的恢复时间等同于离散

快恢复二极管

二极管电桥电路的特点是使用

IDSS和VDS （ ON）指定高温

TMOS功率场效应晶体管

10安培

100伏

RDS （ ON）= 0.22欧姆

D

G

S

CASE 221A -06型5

TO–220AB

最大额定值

（ TC = 25° C除非另有说明）

等级

漏极至源极电压

漏极至栅极电压（ RGS = 1.0 MΩ ）

栅极 - 源极电压 - 连续

- 不重复（ TP

≤

10毫秒）

漏电流 - 连续@ TC = 25°C

- 连续@ TC = 100℃

- 单脉冲（ TP

≤

10

s)

总功率耗散@ TC = 25°C

减免上述25℃

总功率耗散@ TC = 25 ° C（ 1 ）

工作和存储温度范围

单脉冲漏极 - 源极雪崩能量 - 开始TJ = 25°C

（ VDD = 25伏直流电， VGS = 5.0伏，峰值IL = 10位ADC ， L = 1.0 mH的， RG = 25

)

热阻 - 结到外壳°

- 结到环境

- 结到环境（ 1 ）

最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒

（ 1 ）表面安装到FR4电路板时使用最小建议焊盘尺寸。

设计师的数据为“最坏情况”的条件

- 设计师的数据表允许大多数电路的设计完全是从显示的信息。 SOA限制

曲线 - 表示对器件特性的边界 - 被给予促进“最坏情况”的设计。

符号

VDSS

VDGR

VGS

VGSM

ID

ID

IDM

PD

价值

100

100

±

15

±

20

10

6.0

35

40

0.32

1.75

- 55 150

50

单位

VDC

VDC

VDC

VPK

ADC

APK

瓦

W / ℃，

瓦

°C

mJ

TJ ， TSTG

EAS

R

θJC

R

θJA

R

θJA

TL

3.13

100

71.4

260

° C / W

°C

E- FET和设计师的有摩托罗拉，Inc.的商标TMOS是Motorola，Inc.的注册商标。

首选

设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。

摩托罗拉TMOS

摩托罗拉公司1996年

功率MOSFET晶体管器件数据

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