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DIM400GDM33-A000
100
二极管
瞬态热阻抗，Z
日（J -C ）
- （ ° C /千瓦）
700
600
晶体管
直流集电极电流，我
C
- (A)
IGBT
二极管
R
i
（ C / KW ）
τ
i
（女士）
R
i
（ C / KW ）
τ
i
（女士）
0.01
1
0.7494
0.0876
1.4772
0.0843
2
3.9034
3.7713
7.823
3.7205
3
5.5554
33.5693
11.1256
33.2138
1
4
16.8032
236.8023
33.6616
236.5275
10
0.1
脉冲宽度，T
p
- (s)
500
10
400
300
1
200
100
0.1
0.001
0
0
20
40
60
80
100
120
外壳温度，T
例
- (C)
140
160
图。 11瞬态热阻抗
图。 12额定直流电流VS外壳温度
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注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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