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HM62W9127HB系列
1M的高速SRAM （ 128千字
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9-bit)
ADE - 203-792A （ Z）
初步
修订版0.1
1997年11月
描述
该HM62W9127HB是一种异步3.3 V工作电压高速静态组织结构131072- RAM
字
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9位。它实现高速存取时间（ 25/30 NS）与采用0.8
m
收缩CMOS工艺
高速电路设计技术。它最适合于要求高的应用
高速，高密度存储器和宽位宽度配置，如高速缓存和缓冲存储器中的系统。
该HM62W9127HB打包在400密耳的36引脚SOJ为高密度的表面安装。
特点
3.3 V单电源： 3.3 V
±
0.3 V
访问时间25/30 NS （最大值）
完全静态存储器
无需时钟或定时选通
平等的机会和周期时间
直接TTL兼容
所有输入和输出
400万的36引脚封装SOJ
中心V
CC
和V
SS
引出线类型
订购信息
型号
HM62W9127HBJP-25
HM62W9127HBJP-30
HM62W9127HBLJP-25
HM62W9127HBLJP-30
存取时间
25纳秒
30纳秒
25纳秒
30纳秒
包
400万36引脚塑料SOJ （ CP- 36D ）
