WTE

功率半导体

DD500 / S - DD506 / S

50A 8.4毫米/ 9.5毫米DISH二极管

特点

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!

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玻璃钝化片建设

低漏

低成本

高浪涌电流能力

低正向

C波段终端建设

C

D

机械数据

B

!

!

!

案例：全铜外壳和组件

密封式

终端：联系地区容易焊

极性：阴极案例（反向单位

可应要求提供被指定

用“ R”后缀，即DD502R或DD504SR ）

极性：红颜色等于标准，

黑色等于反接

安装位置：任意

A

8.4毫米菜

9.5毫米菜

民

最大

民

最大

8.35

8.45

9.50

9.72

2.0

2.16

2.0

2.16

1.43

1.47

1.43

1.47

22.3

—

22.3

—

尺寸：mm

!

!

暗淡

A

B

C

D

“S”后缀表示8.4毫米菜

没有后缀指定9.5毫米菜

最大额定值和电气特性

单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。

对于容性负载，减免电流20 ％ 。

特征

反向重复峰值电压

工作峰值反向电压

阻断电压DC

RMS反向电压

平均整流输出电流@T

A

= 150°C

非重复峰值正向浪涌电流

8.3ms单半正弦波叠加

额定负荷（ JEDEC的方法）

正向电压

峰值反向电流

在额定阻断电压DC

@I

F

= 50A

@T

A

= 25°C

@T

A

= 100°C

符号

V

RRM

V

RWM

V

R

V

R（ RMS ）

I

O

@T

A

= 25 ° C除非另有说明

DD500/ DD501/ DD502/ DD503/ DD504/ DD505/ DD506/

S

S

S

S

S

S

S

50

35

100

70

200

140

300

210

50

400

280

500

350

600

420

单位

V

V

A

I

FSM

V

FM

I

RM

C

j

R

θJC

T

J

, T

英镑

500

1.1

100

500

300

0.6

-65到+175

A

V

A

pF

K / W

°C

典型结电容（注1 ）

典型热阻结到外壳

（注2 ）

工作和存储温度范围

注：1，测得1.0 MHz和应用的4.0V直流反接电压

2.热阻：结到管壳，单面冷却。

DD500 / S - DD506 / S

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