FDP7045L/FDB7045L
2000年1月
FDP7045L/FDB7045L
概述
N沟道逻辑电平的PowerTrench
MOSFET
特点
?? 100 A， 30 V
DS （ ON）
= 0.0045
W
@ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
= 0.006
W
@ V
GS
= 4.5 V.
??在高温指定临界直流电气参数
温度。
??坚固的内部源极 - 漏极二极管可以消除
无需外部稳压二极管瞬态抑制器。
??高性能的PowerTrench技术
非常低R
DS （ ON）
.
?? 175°C最高结温额定值。
这N沟道逻辑电平MOSFET的设计
具体而言，以提高直流/直流整体效率
使用同步或传统转换器
开关PWM控制器。
这些MOSFET的开关速度和更低的栅极
收费比其他的MOSFET具有可比性
DS （ ON）
导致的DC / DC电源设计规格
具有较高的整体效率。
D
D
G
G
D
TO-220
S
FDP系列
G
S
TO-263AB
FDB系列
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
漏源电压
栅源电压
最大漏极电流
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
FDP7045L
30
±
20
100
75
300
125
FDB7045L
单位
V
V
A
- 连续
- 脉冲
（注1 ）
（注1 ）
P
D
T
J
, T
英镑
R
θ
JC
R
θ
JA
总功率耗散@ T
C
= 25
°
C
减免上述25
°
C
工作和存储结温范围
W
W/
°
C
°
C
°
C / W
°
C / W
0.85
-65到+175
热特性
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
1.2
62.5
包装纲要和订货信息
器件标识
FDB7045L
FDP7045L
1999
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
设备
FDB7045L
FDP7045L
带尺寸
13’’
管
胶带宽度
24mm
不适用
QUANTITY
800
45
FDP7045L / FDB7045L Rev.C
