FGH40N6S2 / FGP40N6S2 / FGB40N6S2
典型性能曲线
1400
R
G
= 3Ω L = 200μH ，V
CE
= 390V
,
E
ON2
，开启能量损失（ μJ ）
T
J
= 25 ° C除非另有说明
1400
R
G
= 3Ω L = 200μH ，V
CE
= 390V
,
E
关闭
，关断能量损失（ μJ ）
1000
1200
1000
800
600
400
200
0
0
5
10
15
T
J
= 25
o
C，T
J
= 125
o
C，V
GE
= 15V
20
25
30
35
40
T
J
=
25
o
C,
T
J
=
125
o
C,
V
GE
= 10V
800
T
J
= 125
o
C，V
GE
= 10V, V
GE
= 15V
600
400
200
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 10V, V
GE
= 15V
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图7.开启能量损失VS收藏家
发射极电流
20
R
G
= 3Ω L = 200μH ，V
CE
= 390V
,
t
D（ ON ）I
，导通延迟时间（纳秒）
16
T
J
= 25
o
C，T
J
= 125
o
C，V
GE
= 10V
12
图8. TURN -OFF能量损失VS收藏家
发射极电流
60
R
G
= 3Ω L = 200μH ，V
CE
= 390V
,
50
t
rI
，上升时间（ NS ）
40
30
T
J
= 25
o
C，T
J
= 125
o
C，V
GE
= 10V
20
8
T
J
= 25
o
C，T
J
= 125
o
C，V
GE
= 15V
4
10
T
J
= 25
o
C，T
J
= 125
o
C，V
GE
=15V
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图9.导通延迟时间与收藏家
发射极电流
80
R
G
= 3Ω L = 200μH ，V
CE
= 390V
,
t
D（ OFF ）I
，关断延迟时间（纳秒）
70
图10.导通上升时间与收藏家
发射极电流
100
R
G
= 3Ω L = 200μH ，V
CE
= 390V
,
90
60
V
GE
= 10V, V
GE
= 15V ，T
J
= 125
o
C
50
t
fI
，下降时间（ NS ）
80
T
J
= 125
o
C，V
GE
= 10V, V
GE
= 15V
70
40
60
30
V
GE
= 10V, V
GE
= 15V ，T
J
=
20
0
5
10
15
20
25
30
35
40
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
25
o
C
50
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 10V, V
GE
= 15V
40
0
5
10
15
20
25
30
35
40
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图11.关断延迟时间与收藏家
发射极电流
图12. FALL时间与集电极到发射极
当前
2003仙童半导体公司
FGH40N6S2 / FGP40N6S2 / FGB40N6S2 RevA5
