FGH50N6S2
典型性能曲线
250
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
225
200
175
150
125
100
75
TJ = 25
o
C
50
25
0
4
5
6
7
8
TJ = 125
o
C
TJ = -55
o
C
占空比< 0.5 ％ ，V
CE
= 10V
脉冲宽度= 250μs的
T
J
= 25 ° C除非另有说明
16
I
G（ REF ）
= 1毫安，R
L
= 10
V
GE
，门到发射极电压（ V）
14
12
V
CE
= 600V
10
V
CE
= 400V
8
6
4
V
CE
= 200V
2
0
9
10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
V
GE
，门到发射极电压（ V）
Q
G
，栅极电荷（ NC）
图13.传输特性
E
总
，总交换能量损失（兆焦耳）
R
G
= 3Ω ， L = 200μH ，V
CE
= 390V, V
GE
= 15V
2.5
E
总
= E
ON2
+ E
关闭
I
CE
= 60A
2.0
E
总
，总交换能量损失（兆焦耳）
3.0
100
图14.栅极电荷
T
J
= 125
o
C，L = 200μH ，V
CE
= 390V, V
GE
= 15V
E
总
= E
ON2
+ E
关闭
10
I
CE
= 60A
I
CE
= 30A
1
I
CE
= 15A
1.5
I
CE
= 30A
1.0
I
CE
= 15A
0.5
0
25
50
75
100
o
125
150
0.1
1.0
10
100
1000
T
C
，外壳温度（ C）
R
G
，栅极电阻（ Ω ）
图15.总开关损耗VS案例
温度
4.0
频率= 1MHz的
3.5
3.0
C，电容（ NF）
1
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
C
IES
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
图16.总开关损耗VS门
阻力
2.5
2.4
2.3
2.2
2.1
2.0
1.9
I
CE
= 15A
1.8
1.7
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
V
GE
，门到发射极电压（ V）
I
CE
= 30A
I
CE
= 45A
占空比< 0.5 ％
脉冲宽度= 250μs的
C
OES
C
水库
图17.电容VS集电极到发射极
电压
图18.集电极到发射极通态电压VS
门到发射极电压
2003仙童半导体公司
FGH50N6S2 RevA3
