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修订概要
版本A（ 1997年7月）
该Am29F017B设备的初始版本（ 0.35微米） 。
版本B + 3 （ 1998年8月）
全球
该Am29F017B现在是40针标准可用
和反向TSOP封装。
DC特性
移动的V
CC
最大测试条件我
CC
特定网络阳离子
音符。
版本B（ 1998年1月）
全球
制成的格式和布局与其他数据相一致
床单。用于更新通用表格和图表。
网络版已略作修改的格式。
版本C（ 1999年1月）
版本B + 1 （ 1998年1月）
复位命令
删除的段落提及RESET ＃波形。
AC特性只读操作
删除音符指输出驱动器禁用时间。
图16临时机构集团撤消
计时
更正标题注明“类别组”。
全球
更新的CS39S工艺技术。
特色鲜明
补充：
s
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
订购信息
版本B + 2 （ 1998年4月）
全球
增加了-70的速度选项，删除了-75的速度选项。
特色鲜明
变更后的最低100K写入/擦除周期瓜拉尼
开球100万。
订购信息
添加扩展温度的可用性。
工作范围
添加扩展级温度范围。
直流特性， CMOS兼容
纠正了CE＃和RESET ＃测试条件
I
CC3
我
CC4
到V
CC
±0.5 V.
AC特性
擦除/编程操作;擦除和编程操作
ations备用CE＃控制写道：修正了
指出了tWHWH1和tWHWH2参考。这些
参数都经过100 ％测试。更正的说明
对于T参考
VCS
。这个参数不是100 ％测试。
临时机构撤消表
在t补充说明参考
VIDR
。该参数不
100 ％测试。
擦除和编程性能
变化最小的100K计划和擦除周期
保证1,000,000。
有效组合
：被淘汰的扩展温度
对于Am29F017B - 70 TURE范围选项。
直流特性， CMOS兼容
I
CC3
, I
CC4
：补充说明5 ， “因为只有我CMOS模式
CC3
,
I
CC4
= 20 μA ，在扩展级温度（大于+ 85 ° C） “ 。
版本C + 1 （ 1999年3月23日）
工作范围
的温度范围，现在被指定为环境温度。
版本C + 2 （ 1999年5月17日）
产品Seletor指南
纠正吨
OE
规格为150纳秒的速度
选择55纳秒。
工作范围
V
CC
电源电压
：添加了V
CC
为± 5 ％的设备。
改变“V
CC
为±所有设备“，以”V
CC
为± 10 ％的
设备“。
版本D （ 1999年11月16日）
特色鲜明
封装选项：
增加了40针TSOP 。
交流特性 - 图11.计划
操作时序图12.芯片/扇区
擦除操作
删除吨
GHWL
并改变OE ＃波形开始
高。
物理尺寸
换成数字更详细的说明。
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Am29F017D
