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初步
Am42BDS640AG
堆叠式多芯片封装（ MCP ）闪存和SRAM
Am29BDS640G 64兆位（4M ×16位） CMOS 1.8伏只，同时操作
突发模式闪存和16兆位（ 1一M× 16位），静态RAM
特色鲜明
MCP特点
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1.65到1.95伏的电源电压
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高性能
- 存取时间快70纳秒
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功耗（典型值，C
L
= 30 pF的）
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突发模式阅读： 10毫安
同时操作： 25毫安
编程/擦除： 15毫安
待机模式： 0.2 μA
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包
- 93球FBGA
硬件特性
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软件命令锁业
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握手：通过RDY输出主监视器操作
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硬件复位输入（ RESET ＃ ）
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WP ＃输入
- 写保护（ WP ＃ ）功能保护扇区0 ， 1 （底部
引导）或扇区132和133 （顶部引导） ，而不管扇区
保护状态
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工作温度
= -40 ° C至+ 85°C
FLASH内存功能
架构优势
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单1.8伏读取，编程和擦除（ 1.65 1.95伏）
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在0.17微米制程技术制造的
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同时读/写操作
- 数据可以不断地从一家银行，而读
执行擦除/编程功能的其他银行
读取和写入操作之间的零延迟
- 四个银行的体系结构： 16兆/ 16兆/ 16兆/ 16兆
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ACC输入：加速功能减少编程
时间;各界锁定时， ACC = V
IL
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CMOS兼容输入， CMOS兼容输出
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低V
CC
写禁止
软件特点
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支持通用闪存接口（ CFI ）
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软件指令集兼容JEDEC 42.4
标准
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数据＃查询和翻转位
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擦除挂起/恢复
- 暂停或恢复擦除操作在一个部门
读取数据，或程序数据，其它扇区
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可编程突发接口
- 2模式的突发读操作
- 线性突发： 8 ， 16 ，和32个字与环绕
- 连续顺序突发
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部门架构
- 8个8千字部门和126 32
千字行业
- 银行A和D分别含有4个8千字部门和
31 32 K字部门;银行B和C分别包含
32 32千字行业
- 八8K字引导扇区，四在地址上方
范围内，和四个在地址范围的底
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解锁绕道程序命令
- 发出多个时，降低了总体规划的时间
程序的命令序列
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每个部门最少百万擦除周期保证
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20年的数据保存在125°C
SRAM特点
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功耗
- 操作：3 mA（最大值）
- 待机： 15 μA最大
性能退化特征
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读存取时间为54/40 MHz的
- 13.5 / 20 ns的突发访问时间@ 30 pF的，在工业
温度范围
- 70 ns的异步随机存取时间（ 30 pF的）
- 87.5 / 95 ns同步延迟
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CE1S ＃和CE2s片选
使用CE1S ＃和CE2s关机功能
数据保持电源电压： 1.0 2.2伏
字节的数据控制： LB ＃ S（ DQ7 - DQ0 ） ， UB ＃ S（ DQ15 - DQ8 ）
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产品，恕不另行通知。
出版＃
26445
启：
B
Amendment/0
发行日期：
2002年11月1日
请参考AMD的网站（ www.amd.com ）了解最新信息。
