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EBE11ED8ABFA
AC特性（ TC = 0至+ 85°C ， VDD ， VDDQ = 1.8V ± 0.1V ， VSS = 0V ）
°
（ DDR2 SDRAM组件规格）
-5C
FREQUENCY （ Mbps）的
参数
/ CAS延时
活跃的读或写命令延迟
预充电命令期
主动对主动/自动刷新命令
时间
从CK DQ输出访问时间， / CK
从CK DQS输出访问时间， / CK
CK高电平宽度
CK低电平宽度
CK半期
时钟周期时间
DQ和DM输入保持时间
DQ和DM输入建立时间
控制和地址输入脉冲宽度
对于每个输入
DQ和DM输入脉冲宽度为每个
输入
从数据输出高阻抗的时间
CK ， / CK
数据输出低阻抗时间
CK ， / CK
DQS -DQ歪斜的DQS和相关
DQ信号
DQ举行倾斜因子
从DQS DQ / DQS输出保持时间
写命令首先锁定DQS
过渡
DQS输入高电平脉冲宽度
DQS输入低脉冲宽度
DQS下降沿到CK建立时间
DQS从CK下降沿保持时间
模式寄存器设置命令周期时间
写序言建立时间
写后同步
写序言
地址和控制输入保持时间
地址和控制输入建立时间
阅读序言
阅读后同步
至预充电命令
主动到自动预充电延迟
符号
CL
tRCD的
激进党
TRC
TAC
533
分钟。
4
15
15
55
500
马克斯。
5
+500
+450
0.55
0.55
8000
TAC最大。
TAC最大。
300
400
WL + 0.25
0.6
1.1
0.6
70000
-4A
400
分钟。
3
15
15
55
600
500
0.45
0.45
分钟。
（ TCL ， TCH）
5000
275
150
0.6
0.35
TAC分钟。
THP - TQHS
WL
0.25
0.35
0.35
0.2
0.2
2
0
0.4
0.25
475
350
0.9
0.4
40
tRCD的分。
马克斯。
5
+600
+500
0.55
0.55
8000
TAC最大。
TAC最大。
350
450
WL + 0.25
0.6
1.1
0.6
70000
单位
TCK
ns
ns
ns
ps
ps
TCK
TCK
ps
ps
ps
ps
TCK
TCK
ps
ps
ps
ps
ps
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
ps
ps
TCK
TCK
ns
ns
5
4
5
4
笔记
tDQSCK
450
总胆固醇
TCL
THP
TCK
TDH
TDS
tIPW
tDIPW
太赫兹
TLZ
TDQSQ
TQHS
tQH
tDQSS
tDQSH
tDQSL
TDSS
tDSH
超过tMRD
0.45
0.45
分钟。
（ TCL ， TCH）
3750
225
100
0.6
0.35
TAC分钟。
THP - TQHS
WL
0.25
0.35
0.35
0.2
0.2
2
tWPRES 0
tWPST
tWPRE
TIH
TIS
tRPRE
tRPST
tRAS的
陷阱
0.4
0.25
375
250
0.9
0.4
40
tRCD的分。
数据表E0379E40 （版本4.0 ）
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