MTD6N15
功率场效应
晶体管DPAK
表面贴装
N沟道增强型硅
门
这TMOS功率场效应管是专为高速，低功率损耗
开关应用，如开关稳压器，转换器，
电磁阀和继电器驱动器。
硅栅的快速开关速度
低R
DS （ ON）
— 0.3
最大
坚固耐用 - SOA是功耗有限公司
源极到漏极二极管的特点是配用
感性负载
低驱动要求 - V
GS （ TH）
= 4.0 V最大
表面贴装封装在16毫米胶带
最大额定值
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 1.0 M)
栅源电压 - 连续
栅源电压
- 非重复性
(t
p
≤
50
s)
漏电流 - 连续
漏电流
- 脉冲
总功率耗散@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
总功率耗散@ T
A
= 25°C
减免上述25° C（注1 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C (1)
减免上述25° C（注2 ）
工作和存储结温
ATURE范围
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D
I
DM
P
D
P
D
P
D
T
J
, T
英镑
价值
150
150
±
20
±
40
6.0
20
20
0.16
1.25
0.01
1.75
0.014
-65
+150
单位
VDC
VDC
VDC
VPK
ADC
瓦
W / ℃，
瓦
W / ℃，
瓦
W / ℃，
°C
1
门
6N15
Y
WW
CASE 369C
DPAK
（表面贴装）
方式2
1 2
3
1
3
CASE 369D
DPAK
（直引线）
方式2
2
V
（ BR ） DSS
150 V
http://onsemi.com
R
DS （ ON）
最大
0.3
W
N沟道
D
I
D
最大
6.0 A
G
S
4
4
标记图
＆放大器;引脚分配
4漏
YWW
T
6N15
4漏
YWW
T
6N15
3
来源
1
门
2
漏
3
来源
包
DPAK
DPAK
直引线
DPAK
航运
75单位/铁
75单位/铁
2500磁带&卷轴
出版订单号：
MTD6N15/D
2
漏
热特性
特征
热阻
- 结到外壳
- 结到环境（注1 ）
- 结到环境（注2 ）
符号
R
θJC
R
θJA
R
θJA
价值
6.25
100
71.4
单位
° C / W
=器件代码
=年
=工作周
订购信息
设备
MTD6N15
MTD6N151
MTD6N15T4
1.当表面安装用最小的FR4板推荐
焊盘尺寸。
2.表面安装用0.5平方的FR4板。英寸漏极焊盘尺寸。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年3月 - 第2版
