典型电气特性
（续）
1.15
漏源击穿电压
1.125
1.1
1.075
1.05
1.025
1
0.975
0.95
0.925
0.9
-50
-25
0
T
J
25
50
75
100
125
，结温（ ° C）
150
175
20
I
D
= 250A
我，反向漏电流（ A）
10
5
V
GS
= 0V
BV
DSS
归一化
1
0.5
T J = 125°C
25°C
-55°C
0.1
0.01
S
0.001
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
1.4
图7.击穿电压变化与
温度
图8.体二极管正向电压的变化
与电流和温度
1500
1000
10
I
D
= 7.5A
国际空间站
V
GS
，栅源电压（V ）
8
V
DS
= 12V
48V
500
电容（pF）
24V
6
200
OSS
100
4
50
F = 1 MHz的
V
GS
= 0V
RSS
2
20
0.1
0
0.2
V
0.5
DS
1
2
5
10
，漏源极电压（ V）
20
50
0
4
8
12
16
20
Q
g
，栅极电荷（ NC）
图9.电容特性
图10.栅极电荷特性
V
DD
t
D（上）
V
IN
D
t
on
t
r
90%
t
F F
t
D（关闭）
90%
t
f
R
L
V
OUT
DUT
V
根
V
O u那样牛逼
10%
10%
倒
R
根
R
GS
G
90%
S
V
IN
10%
50%
50%
PULSE W ID
图11.开关测试电路
图12.开关波形
NDP4060L版本B / NDB4060L版本C
