1997年5月

NDH8303N

双N沟道增强型场效应晶体管

概述

SuperSOT

TM

-8 N沟道增强型功率场

场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的，

高密度， DMOS技术。这非常高的密度

过程特别是针对减少通态电阻。

这些装置特别适用于低电压

应用，如笔记本计算机的电源管理，

和其它电池供电的电路，其中快速开关，和

需要在一个非常小的轮廓表面低线的功率损耗

贴装封装。

特点

3.8 A， 20 V

DS （ ON）

= 0.035

@ V

GS

= 4.5 V

R

DS （ ON）

= 0.045

@ V

GS

= 2.7 V.

专有SuperSOT

TM

使用铜-8包装设计

引线框架为优异的热和电性能。

高密度电池设计极低R

DS （ ON）

.

呈导通电阻和最大直流电流

能力。

____________________________________________________________________________________________

5

6

7

8

4

3

2

1

绝对最大额定值

T

A

= 25 ° C除非另有说明

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

P

D

T

J

,T

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流 - 连续

- 脉冲

最大功率耗散

（注1 ）

（注1 ）

NDH8303N

20

±8

3.8

15

0.8

-55到150

单位

V

V

A

W

°C

工作和存储温度范围

热特性

R

θJA

R

θJC

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1 ）

156

40

° C / W

° C / W

（注1 ）

1997仙童半导体公司

NDH8303N Rev.C