典型电气特性
（续）
1.15
UDRAIN源击穿电压（ V）
30
I
D
= 250A
1.1
V
GS
= 0V
TJ = 125°C
25°C
-55°C
I
S
，反向漏电流（ A）
-25
0
T
J
25
50
75
100
125
，结温（ ° C）
150
175
10
5
2
1
0.5
BV
DSS
归一化
1.05
1
0.1
0.95
0.9
-50
0.01
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
1.4
图7.击穿电压
随温度的变化。
图8.体二极管正向电压
变化与电流和
温度。
20
V
GS
，栅源电压（V ）
1000
500
国际空间站
I
D
= 12A
15
V
DS
= 12V
64
24
电容（pF）
200
100
50
OSS
10
RSS
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
5
10
0.1
0.2
V
0.5
DS
1
2
5
10
20
，漏源极电压（ V）
50
0
0
5
10
15
Q
g
，栅极电荷（ NC）
20
25
图9.电容特性。
图10.栅极电荷特性。
V
DD
t
D（上）
t
on
t
r
90%
t
关闭
t
D（关闭）
90%
t
f
V
IN
D
R
L
V
OUT
DUT
输出时，VOUT
10%
10%
90%
V
GS
R
根
倒
G
输入，输入电压
10%
50%
50%
S
脉冲宽度
图11.开关测试电路。
图12.开关波形。
NDP408.SAM
