NE32584C
推荐焊接条件
在以下情况（见下表）必须焊接本产品时得到满足。
请在其他情况下，焊接过程中我们的销售办事处咨询时，或在焊接下进行
不同的条件。
＆ LT ;表面贴装元件＆gt种类;
欲了解更多详情，请参阅我们的文档“半导体设备安装技术手册”
(C10535E).
[NE32584C]
焊接工艺
红外线回流
焊接条件
峰值包的表面温度： 230℃或以下，
回流时间：30秒或以下（210 ℃以上） ，
回流焊工艺数：1 ，曝光限制* ：无
端子温度： 230℃或以下，
流动时间：10秒或以下，
曝光限制* ：无
符号
IR30-00
局部加热法
*
干后包封装在焊接之前曝光的限制被打开。
储存条件： 25℃和相对湿度在65 ％以下。
记
不适用超过一个单一的过程一次，除了“局部加热方法” 。
注意事项
避免高静态电压和电场，因为该装置是异质结场效应
晶体管，肖特基势垒门。
小心
大必须小心处理本指南中的设备。
其原因是，该装置的材料是砷化镓（GaAs ），这是
根据有关法律指定为有害物质。
守有关法律等，尤其是在情况消除。
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