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NE6510179A
典型的射频性能，以供参考（不指定）
(T
C
符号
P
OUT
G
L
特征
输出功率
线性增益
1
功率附加效率
漏电流
输出功率
线性
收益
1
单位
DBM
dB
%
A
DBM
dB
%
A
民
典型值
35.0
10.0
56
I
DSQ
= 200 MA（ RF OFF）
I
D
P
OUT
G
L
1.2
31.5
F = 900兆赫，V
DS
= 3.5 V,
15.0
70
0.53
PIN = 20 dBm时， RG = 100
I
DSQ
= 200 MA（ RF OFF）
F = 1900兆赫，V
DS
= 5.0 V,
PIN = +25 dBm时， RG = 100
= 25°C)
测试条件
最大
η
添加
η
添加
I
D
注意事项：
1.引脚= 0 dBm的
功率附加效率
漏电流
绝对最大额定值
1
(T
C
= 25
°C)
符号
V
DS
V
GS
I
DS
I
GS
P
T
T
CH
T
英镑
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
栅极电流（I
GF
, I
GR
)
总功率
耗散
2
通道温度
储存温度
单位
V
V
A
mA
W
°C
°C
评级
8
-4
2.8
±25
15
150
-65到+150
推荐工作极限
符号
V
DS
T
CH
G
COMP
参数
漏源极电压
通道温度
增益压缩
1
单位
V
°C
dB
典型值
3.5
最大
6.0
+125
3.0
注意：
1.推荐的最大增益压缩是在3.0分贝
V
DS
> 4.2 V.
订购信息
产品型号
NE6510179A-T1-A
NE6510179A-A
数量
1 K /卷
散装， 100件分钟。
注意：
1.操作中过量的这些参数中的任何一个，可能会导致
在永久性损坏。
总功耗对比
外壳温度
20
总功率耗散，P
D
(W)
15
R
TH
= 8 ° C / W
10
5
0
25°C
50
100
150
外壳温度，T
C
(°C)
